三极管特性曲线市公开课金奖市赛课一等奖课件.pptxVIP

1 §1-5-3 晶体三极管伏安特征曲线 晶体管伏安特征曲线是描述三极管各端电流与两个PN结外加电压之间关系一个形式，其特点是能直观，全方面地反应晶体管电气性能外部特征。 晶体管特征曲线普通用试验方法描绘或专用仪器（如晶体管图示仪）测量得到。 晶体三极管为三端器件，在电路中要组成四端网络，它每对端子都有两个变量（端口电压和电流），所以要在平面坐标上表示晶体三极管伏安特征，就必须采取两组曲线簇，我们最常采取是输入特征曲线簇和输出特征曲线簇。 第1页 2  输入特征是指三极管输入回路中，加在基极和发射极电压UBE与由它所产生基极电流IB之间关系。 （1）UCE = 0时相当于集电极与发射极短路，此时，IB和UBE关系就是发射结和集电结两个正向二极管并联伏安特征。 因为此时JE和JC均正偏，IB是发射区和集电区分别向基区扩散电子电流之和。 一、输入特征曲线 第2页 3 输入特征曲线簇 第3页 4 （2）UCE≥1V 即：给集电结加上固定反向电压，集电结吸引力加强！使得从发射区进入基区电子绝大部分流向集电极形成Ic。 同时，在相同UBE值条件下，流向基极电流IB减小，即特征曲线右移， 总之，晶体管输入特征曲线与二极管正向特征相同，因为b、e间是正向偏置PN结（放大模式下） 第4页 5 1.3.4 特征曲线 IC V UCE UBE RB IB EC EB 试验线路 第5页 6 一、输入特征 工作压降： 硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 第6页 7 二、输出特征曲线 输出特征通常是指在一定基极电流IB控制下，三极管集电极与发射极之间电压UCE同集电极电流Ic关系。 现在我们所见是共射输出特征曲线表示以IB为参变量时，Ic和UCE间关系： 即 Ic= f(UCE)|IB = 常数 实测输出特征曲线如图所表示：依据外加电压不一样，整个曲线可划分为四个区： 放大区、截止区、饱和区、击穿区 第7页 8 二、输出特征 IC(mA ) 此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定数值时，IC只与IB相关，IC=IB。 第8页 9 此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。 第9页 10 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 第10页 11 输出特征曲线簇 第11页 12 输出特征三个区域特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC =   IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCEUBE ， IBIC，UCE0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 第12页 13 1、截止区： 晶体管工作在截止模式下，有： UBE0.7V，UBC0 所以： IB ≤ 0，IE = IC = 0 结论： 发射结Je反向偏置时，晶体管是截止。 第13页 14 2、放大区 晶体管工作在放大模式下 : UBE 0.7V, UBC 0，此时特征曲线表现为近似水平部分，而且改变均匀，它有两个特点： ① Ic大小受IB控制；ΔIcΔIB； ② 伴随UCE增加，曲线有些上翘。 此时 : ΔIcΔIB，管子在放大区含有很强电流放大作用。 第14页 15 结论： 在放大区，UBE 0.7V，UBC 0，Je正偏，Jc反偏，Ic随IB改变而改变，但与UCE大小基本无关。 ΔIcΔIB，含有很强电流放大作用！ 第15页 16 3、饱和区： 晶体管工作在饱和模式下： UBE0.7V，UBC0，即：Je、Jc均正偏。 特点：曲线簇靠近纵轴附近，各条曲线上升部分十分密集，几乎重合在一起，能够看出： 当 IB 改变时，Ic 基本上不会随之而改变。 晶体管饱和程度将因IB和Ic数值不一样而改变， 第16页 17 普通要求： 当 UCE=UBE 时状态为临界饱和（VCB=0） 当 UCE＜UBE 时状态为过饱和； 饱和时UCE用UCES表示，三极管深度饱和时UCES很小，普通小功率管UCES＜ 0.3V，而锗管UCES＜ 0.1V，比硅管还要小。 第17页 18 4、击穿区 伴随UCE增大，加在JE上反向偏置电压UCB对应增大。 当UCE增大到一定值时，集电结就会发生反向击穿，造成集电极电流Ic剧增，这一特征表现在输出特征