成都理工大学 传感器与检测技术 复习提纲2013.docVIP

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  • 2022-09-17 发布于天津
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成都理工大学 传感器与检测技术 复习提纲2013.doc

PAGE 第 PAGE 1 页 共 NUMPAGES 1 页 复习提纲 误差的定义,分类,绝对误差、相对误差的定义。 误差:测量值与真值之差异称为误差。 分类:系统误差。随机误差。粗大误差。 绝对误差:示值与真值之间的差值。 相对误差:绝对误差与约定值之比。有实际相对误差,示值相对误差,满度相对误差。 最小二乘法原理的实质。指测量结果在最可信赖值应在残余误差平方和为最小的条件下求出。Y=aX+b,分别对a、b求偏导等于0,联合解出a、b即可。 传感器的定义,传感器静态特性的主要技术指标。 定义:感受规定被测量按一定规律转换成可用输出信号的器件或装置。 静态特性的主要技术指标:线性度 灵敏度 迟滞 重复性 应变三种测量电桥的连接方法及输出。 单臂 半桥 全桥 自感式传感器的分类。变气隙式自感传感器,当街铁移动靠近铁芯时,铁芯上的线圈电感量?(公式: 变气隙、变面积、螺旋管式。 电涡流的定义、分类、产生条件。 定义:根据法拉第电磁感应定律,当块状导体置于交变电磁场或在固定磁场中运动是,导体内产生感应电流,此电流在导体内闭合,成为涡流。 分类:高频反射式(1MHz),低频投射式(1MHz)。 产生条件:1、电感线圈 2、变化电流 电容式传感器的工作原理。 公式: 介电常数ε,截面相对面积S,板间距d 电阻式传感器的主要类型。 金属电阻应变片(应变式) 半导体电阻应变片(压阻式) 光敏电阻(内光电效应) 金属热电阻 半导体热敏电阻 相敏检波电路的工作原理及优点。 P59 输出电压的幅值表示了衔铁位移的大小,输出电压的记性反应了衔铁移动的方向。还能消除零点残余电压的影响。 热电偶所产生的热电势的组成。 温差电动势和接触电动势组成 光电效应的分类及相应的器件。 光电效应有外光电效应、内光电效应、光生伏特效应三种 外光电效应的器件有:光电管、光电倍增管等。 内光电效应的器件有:光敏电阻等。 光生伏特效应的器件有:光电池、光敏晶体管等。 霍尔效应。 半导体薄片置于磁场中,当它的电流方向与磁场方向不一致时,半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势,这种现象叫霍尔效应,电动势称为霍尔电势,半导体薄片成为霍尔元件。 压电效应。 正压电效应:当沿着一定方向对某些电介质加力使其变形时,在一定的表面上产生电荷,当外力撤掉后,又重新回到不带电的状态。 逆压电效应:当在电介质的计划方向上施加电场,这些电介质就在一定方向上产生机械变形或机械应力,当外加电场撤去时,这些变形或应力随之消失,也成为电致伸缩效应。

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