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1 、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。;1.CMOS集成电路:
广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路;3.1.2 逻辑门电路的一般特性;VNH —当前级门输出高电平的最小
值时允许负向噪声电压的最大值。;;4. 功耗;扇出数：是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。;(b)带灌电流负载;电路类型;3.2 TTL逻辑门;3.2 TTL逻辑门;iC＝ICS≈;; CL的充、放电过程均需经历一定
的时间，必然会增加输出电压?O波
形的上升时间和下降时间，导致基
本的BJT反相器的开关速度不高。;输出级
T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。;2. TTL反相器的工作原理（逻辑关系、性能改善） ;;;（3 ）采用输入级以提高工作速度 ;;当?O=3.6V时;3、TTL反相器的外特性 ;1、bc段（线性区） 当0.6V≤ vi＜1.3V时，此时 T2导通， vc2随 vb2升高而下降，经过 T4射随器使 下降。 T3仍截止。 2、cd??段（转折区） 当vi≥1.3V时，随着输入电压略微升高，输出电压急剧下降。这是由于此时 T3开始导通， T2尚未饱和，T2、T3和 T4均处于放大状态，故 vi稍有提高，均可使 vO很快下降。所以 cd的斜率比 bc段要大的多。 通常把电压传输特性曲线上转折区中点所对应的输入电压称为门槛电压（或阈值电压），以 VT表示。对于典型的TTL反相器， VT =1.3~1.4V，可以粗略地认为，当 vi ＜ VT时，反相器将截止，输出高电平。;1. TTL与非门电路;TTL与非门电路的工作原理 ;TTL门电路中输入端负载特性; 在一定范围内,ui随Ri的增大而升高。但当输入电压ui达到1.4V以后,uB1 = 2.1V, Ri增大,由于uB1不变,故ui = 1.4V也不变.这时T2和T3饱和导通,输出为低电平。 Ri不大不小时,工作在线性区或转折区. Ri 较小时,关门,输出高电平; Ri 较大时,开门,输出低电平; （Ri → ∞悬空时 ） (1) 关门电阻ROFF —— 在保证门电路输出为额定高电平的条件下,所允许Ri 的最大值称为关门电阻.典型的TTL门电路ROFF ≈ 0.7kΩ. (2) 开门电阻RON—— 在保证门电路输出为额定低电平的条件下,所允许Ri 的最小值称为开门电阻.典型的TTL门电路RON ≈ 2.1kΩ. 数字电路中要求输入负载电阻Ri ≥ RON或Ri ≤ ROFF ,否则输入信号将不在高低电平范围内. ;2. TTL或非门 ;;a） 集电极开路与非门电路
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