电子器件可靠性评价与分析技术进展.pptVIP

无损失效分析技术 无损分析的重要性 (从质检和失效分析两方面考虑) 检漏技术 X射线透视技术 用途：观察芯片和内引线的完整性 反射式扫描声学显微技术 用途：观察芯片粘接的完整性，微裂纹，界面断层 第六十三页，共八十二页。 检漏技术 粗检：负压法、氟碳加压法 细检：氦质谱检漏法 第六十四页，共八十二页。 负压法检漏 酒精 接机械泵 第六十五页，共八十二页。 焊点染色法 第六十六页，共八十二页。 氟碳加压法 FC43 沸点180C F113沸点47.6C 加热至125C 第六十七页，共八十二页。 X射线透视与反射式声扫描比较 第六十八页，共八十二页。 样品制备技术 种类：打开封装、去钝化层、去层间介质、抛切面技术、去金属化层 作用：增强可视性和可测试性 风险及防范：监控 第六十九页，共八十二页。 打开塑料封装的技术 第七十页，共八十二页。 去钝化层的技术 湿法：如用HF：H2O＝1：1溶液去SiO2 85％ HPO3溶液，温度160C去 Si3N4 干法：CF4和O2气体作等离子腐蚀去SiNx和聚酰亚胺 干湿法对比 第七十一页，共八十二页。 去层间介质 作用：多层结构芯片失效分析 方法：反应离子腐蚀 特点：材料选择性和方向性 结果 第七十二页，共八十二页。 去金属化Al层技术 作用 配方：30％HCl 或 30％H2SO4 KOH 、NaOH溶液 应用实例 第七十三页，共八十二页。 形貌象技术 光学显微术：分辨率3600A，倍数1200X 景深小，构造简单 对多层结构有透明性，可不制样 扫描电子显微镜：分辨率50A，倍数10万 景深大，构造复杂 对多层结构无透明性，需制样 第七十四页，共八十二页。 以测量电流效应为基础的失效定位技术 红外热象技术 用途：热分布图，定热点 光发射显微镜 用途：微漏电点失效定位 栅氧化层缺陷，pn结缺陷，闩锁效应 电子束感生电流象 用途：pn结缺陷 第七十五页，共八十二页。 单端输出束感生电流象（EBIC） EBIC的用途：用SEM观察pn结缺陷 传统EBIC用双端输出，每次只能观察一个结 单端输出EBIC可同时观察芯片所有pn结的缺陷，适用于VLSI失效分析 例某CMOS电路的EBIC 第七十六页，共八十二页。 原理 第七十七页，共八十二页。 封装内部气体成份分析 封装内部水汽和腐蚀性气体的危害： 引起芯片表面漏电，器件电特性不稳定 腐蚀金属化层直至开路 检测法 内置传感器 露点检测 质谱分析 第七十八页，共八十二页。 露点检测 1应用范围: 气密性封装内部水汽浓度 2 原理:露点与水汽浓度相关 3 方法:通过降温确定器件的水汽敏感电特性的突变温度(露点) 第七十九页，共八十二页。 质谱分析结果 其它结果为：气体总压强，氧，氩，氢，CO2，酒精，甲醇，碳氢化合物 仪器灵敏度：水汽 100ppm, 其它气体 10ppm 第八十页，共八十二页。 固态器件微区化学成份分析 第八十一页，共八十二页。 内容总结 电子元器件可靠性物理。失效物理与器件物理的区别。应力－时间模型（反应论模型）。设定高温为T1,低温为T2,可求出F。由高温寿命L1推算常温寿命L2。L1=MTTF=1/λ。银迁移引起边缘漏电和介质内部漏电。高低温：芯片断裂、芯片粘接失效。随机失效：静电损伤、过电损伤。电阻显著增大或减小说明有金属化开路或漏电部位。各端口对地端/电源端的漏电流测试（或I——V测试）,可确定失效管脚。特性异常与否用好坏特性比较法确定。反向漏电流随电压缓慢增大，pn结受EOS损伤或ESD损伤。反向击穿电压下降，pn结受EOS损伤或ESD损伤。反向击穿电压不稳定：芯片断裂、芯片受潮。固态器件微区化学成份分析 第八十二页，共八十二页。 第三讲 微电子器件失效机理 第三十一页，共八十二页。 失效模式的概念和种类 失效的表现形式叫失效模式 按电测结果分类：开路、短路或漏电、参数漂移、功能失效 第三十二页，共八十二页。 失效机理的概念 失效的物理化学根源叫失效机理。例如 开路的可能失效机理：过电烧毁、静电损伤、金属电迁移、金属的电化学腐蚀、压焊点脱落、CMOS电路的闩锁效应 漏电和短路的可能失效机理：颗粒引发短路、介质击穿、pn微等离子击穿、Si-Al互熔 第三十三页，共八十二页。 失