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会计学 1 原子不规则排列位错 2 来源于晶体中的内外的应力场 只要存在内、外的应力场，即使静止的位错也受到 的作用 ——它使位错有运动趋势 如何求F？ 外力τ导致晶体移动做的功 假想力F导致位错线移动所做的功 WMic WMac 第2页/共22页 第1页/共22页 3 晶体发生塑性变形时，外力τ对晶体做的功 外力τ使长为l的位错移动了ds， τ作功WMac 第3页/共22页 第2页/共22页 4 假想力F导致位错线移动所做的功 第4页/共22页 第3页/共22页 5 单位长度位错线上的力： 长度L位错线上的力： 第5页/共22页 第4页/共22页 6 讨论 Fd∝τ，Fd∝b Fd⊥位错线，指向未滑移区 Fd为假象力，其方向与τ不一定一致。（如螺位错Fd⊥τ） 第6页/共22页 第5页/共22页 7 二、位错的运动 Movement of dislocation （一）、刃型位错的运动 两种运动方式：滑移和攀移 1、滑移 glide 第7页/共22页 第6页/共22页 8 第8页/共22页 第7页/共22页 9 滑移是位错运动的结果 第9页/共22页 第8页/共22页 10 刃位错滑移的规律： 运动面： 运动量： 第10页/共22页 第9页/共22页 11 ★晶体的滑移 就是位错在滑移面上运动的结果； ★位错运动的方向 就是晶体滑移的 方向； （1） 位错运动与晶体滑移的关系? 讨论： ★但晶体滑移的量（宏观）并不等同于位错运动的量。 即位错运动的距离与晶体运动（宏观）的距离是两码事。 第11页/共22页 第10页/共22页 12 第12页/共22页 第11页/共22页 13 位错具有一定的宽度，位错滑移一个b时，位错中原子各移动一小距离。宽位错线易滑移！！！ 第13页/共22页 第12页/共22页 14 在高温下原子的扩散或外加应力的作用下，位错的半原子面扩大或缩小，导致位错线沿滑移面法线方向的运动。 2、攀移 climb 第14页/共22页 第13页/共22页 15 两类攀移： 正攀移导致半原子面减小，负攀移导致半原子面增大 拉应力引起负攀移，压应力引起正攀移 第15页/共22页 第14页/共22页 16 攀移 的特点： （1）扩散需要热激活，受温度影响大，比滑移需要更高的能量。 （2）纯剪应力不能引起体积变化，对攀移不起作用。 （2）过饱和空位的存在有利于攀移进行。 第16页/共22页 第15页/共22页 17 （二）、螺型位错的运动 只有滑移，没有攀移 说明滑移面不定，从几何学上讲，包含位错线的任何面都可以称为滑移面，但从晶体学上讲，滑移面还要受晶体学条件的限制。 第17页/共22页 第16页/共22页 18 （三）、混合型位错的运动 分解为刃、螺位错，然后考察它们的运动 第18页/共22页 第17页/共22页 19 小结－－位错的基本几何性质 1、晶体中的线缺陷，实际上是管状缺陷，区内原子严重错排或错配 2、可看成是局部滑移或局部位移的边界线 3、柏氏矢量 表征位错。 柏氏矢量的大小决定位错区中心的原子“错配度”和周围晶体的变形，从而决定能量的大小。 根据柏氏矢量与位错线的相对位向 第19页/共22页 第18页/共22页 20 5、柏氏矢量的守恒性 4、位错线必须是连续的，它或者起止于表面（或晶界），或形成封闭回路（位错环），或在结点处与其它位错相连 推论：一条位错线只能有一个b 6、位错密度 第20页/共22页 第19页/共22页 21 求：① 位错环各边是什么位错？ ② 如何通过局部滑移才能得到这个位错环？ ③ 在右图所示的剪应力  的作用下，位错环如何运动？ ④ 在如图所示的拉应力  的作用下，位错环如何运动？将变成什么形状？ 解答： ① AB为右旋螺位错 BC为正刃位错(半原子面BB’C’C) CD为左旋螺位错 DA为负刃位错(半原子面AA”D”D) ② 设想在晶体中有一个贯串晶体上下表面的四棱柱体，它和S.P.相交于ABCDA 第21页/共22页 第20页/共22页 22 解答： 晶体右半部分将向右运动 左半部分将向左运动 AB和CD是螺位错，在拉应力下不运动，在剪应力下才滑移。 BC向下运动，AD向上运动(半原子面将扩大，即负攀移)，位错线ABCDA将变成ABB’C’CDD’A’A，如右图所示。 问题：请大家考虑此时ABB’C’CDD’A’A这个空间位错环的各段位错各是什么位错？ 第22页/共22页 第21页/共22页