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器件全控型器件§2、2门极可关断晶闸管GTO(Gate-Turned-Off Thyristor)一、结构与工作原理1、结构:多元集成元件,放射门极结构。她可以等效成多个小GTO元得集成(并联)---可实现门极控制关断。对比晶闸管:中央门极结构2、工作原理与普通晶闸管相同,可采用双晶体管模型分析。开关速度高于普通晶闸管,di/dt承受能力大于晶闸管。3、电气符号 晶闸管？二、工作特性1、特点1)门极可以控制开通,也可以控制关断;----全控型 流控型器件 脉冲控制型2)开通条件:正向阳极电压,正向门极电压; 关断条件:门极加负脉冲(不能通过门极电流为零关断)3)开关速度及di/dt承受能力高于晶闸管4)单向导电性。2、静态特性伏安特性同晶闸管i等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小时间 残存载流子复合所需时间 GOt抽取饱和导通时储存的大量载流子的时间itttttAdrsftIA90%IA10%IA0ttttttt动态特性1)开通过程:开通时间: ton=td+tr2)关断过程: 关断时间: toff=ts+tf+tt 存储时间ts :IA—0、9IA 下降时间tf: 0、9IA—0、1IA 拖尾时间tt:远大ts 门极负脉冲电流幅值越大,前沿越陡。抽走存储载流子得速度越快,ts越小。若使门极负脉冲得后沿缓慢衰减,在tt阶段仍能保持适当得负电压,则tt越小。三、可关断晶闸管得主要参数1、开通时间ton2、关断时间toff3、最大可关断阳极电流IATO GTO通过负脉冲能够关断得最大阳极电流。她就是GTO得额定电流。4、电流关断增益βoff最大可关断电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比。一般很小,5~10。若1000A得GTO,门极负脉冲为200~100A,很大,这就是GTO得缺点。Back符号普通晶体管结构GTR结构§2、3 电力晶体管GTR(Giant Transistor—Power BJT)一、结构与工作原理Bipolar junction transistor1、结构由至少两个晶体管按达林顿接法组成,同GTO一样采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。2、工作原理 同普通得双极结型晶体管3、电气符号二、工作特性1、特点1)门极可以控制开通,也可以控制关断;----全控型 流控型器件 电平控制型2)开通条件:正向集射极电压,正向基极电流; 关断条件:基极加负脉冲3)开关频率较高、动态性能好、承受功耗小、控制方便。阻断能力差、瞬态过电压及过载能力差。2、静态特性 截止区,饱与区,放大区。3、动态特性 开通时间: ton=td+trtd:延迟时间;tr:集电极电流上升时间;关断时间: toff=ts+tfts:存储时间tf:集电极电流下降时间 无拖尾----开关速度快,在80年代就是主要得功率控制器件4、二次击穿与安全工作区 1) 一次击穿集射极电压升至某一值时,集电极电流迅速增大,产生雪崩击穿,此时集电极电流不超过允许电流,称一次击穿。即:AB段。 2) 二次击穿 一次击穿后,无措施,集电极电流继续增大到某值,集射极电压陡然下降,产生局部过热击穿,称二次击穿,元件损坏 。3) 二次击穿临界线大家学习辛苦了，还是要坚持继续保持安静4) 安全工作区 安全工作区SOA(Safe Operation Area)就是指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行得电流、电压得极限范围。最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。三、主要参数(1)最高工作电压 集电极额定电压 UCEM应 小于UCEO UCEO 基极开路,集电极电流较大时,集射极间得击穿电压。(2)集电极额定电流 集电极最大允许电流ICM 。(3)集电极最大耗散功率PCM Back§2、4 电力MOSFET(Power Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor)一、结构与工作原理1、结构 多元集成结构,一个器件由许多小得MOSFET元得集成,栅极绝缘。有N沟道与P沟道之分。内部集成寄生二极管阀值电压2、工作原理导通条件:漏源电压为正,栅源电压大于开启电压。即:uDS〉0,uGSuT、 关断条件:(漏源极电压为正),栅源极电压小于开启电压。即uGSuT、漏源极加反压,就为二极管特性。3、电气符号二、工作特性1、特点1)栅极可以控制开通,也可以控制关断;----全控型 电压控制型器件 电平控制型2)导通条件:正向漏源电压,正向栅源电压; 关断条件: 栅源电压小于开启电压。3)驱动功率小,开关速度高,安全工作区宽。2、工作特性 1)静态特性伏安特性(输出特性) 反映漏源电压与漏极电流之间得关系。截止区,饱与区,非饱