《集成电路设计原理》试卷及答案.docxVIP

电科《集成电路原理》期末考试试卷 一、填空题 1. （1 分）年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2 . （ 2 分） 摩 尔 定 律 是 指 0 集 成 电 路 按 为 、 工 作 原 理 来 分 可 分 、 （4 分）光刻的工艺过程有底膜处理、 去胶。 涂胶、前烘、 、_ 、 、 —和 5. ( 4 分 为 、 ) MOSFET 、 可 以 分 、 四种基本类型。 （3 分）影响 MOSFET 值电压的因素有： 、 以及。 （2 分）在 CMO 茨相器中，V , V 分别作为PMO 制 NMOS 勺 和;作 n Out 为 PMOS 勺源极和体端，作为NMOS 勺源极和体端