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微机的存储器分解第1页/共27页微机的存储器5.1存储器的分类与组成5.2随机存取存储器（ＲＡＭ）5.3读存储器（ＲＯＭ）5.4存储器的连接5.5几种新型的半导体存储器5.6磁表面存储器5.7光盘存储器第2页/共27页5.1存储器的分类与组成 存储器按它与CPU的连接方式不同，可分为内存储器和外存储器。 通过CPU的外部总线直接与CPU相连的存储器称为内存储器（简称内存或主存）。 CPU要通过I/O接口电路才能访问的存储器称为外存储器（简称外存或二级存储器）。 按存储器信息的器件和媒体来分，有半导体存储器、磁表面存储器、磁泡存储器和磁芯存储器以及光盘存储器等。第3页/共27页 图5.1为CPU与存储器的连接结构示意图。图中内存由半导体存储器芯片组成，外存则有磁带、硬磁盘和软磁盘等。第4页/共27页 一、半导体存储器的分类 半导体存储器的分类如图5.2所示。 按使用的功能可分为两大类：随机存取存储器RAM(Random Access memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)。第5页/共27页 RAM在程序执行过程中，每个存储单元的内容根据程序的要求既可随时读出，又可随时写入，故可称读／写存储器。 它主要用来存放用户程序、原始数据、中间结果，也用来与外存交 换信息和用作堆栈等。RAM所存储的信息在断开电源时会立即消失，是一种易失性存储器。第6页/共27页 RAM按工艺又可分为双极型RAM和MOS RAM两类，而MOS RAM又可分为静态(Static)和动态(Dynamic)RAM两种。双极型RAM的特点是存取速度快，但集成度低，功耗大，主要用于速度要求高的位片式微机中；静态MOS RAM的集成度高于双极型RAM,功耗低于双极型RAM；动态RAM比静态RAM具有更高的集成度,但是它靠电路中栅极电容来储存信息，由于电容器上的电会泄它需要定时进行刷新。第7页/共27页 只读存储器ＲＯＭ按工艺也可分为双极型和ＭＯＳ型，但一般根据信息写入的方式不同，而分为: 掩模式ＲＯＭ; 可编程ＰＲＯＭ和可擦除; 可再编程ＥＰＲＯＭ等。第8页/共27页地址线数与存储单元数的关系列于下表中：第9页/共27页（二）地址选择电路 地址选择电路包括地址码缓冲器，地址译码器等。 地址译码器用来对地址码译码。 地址译码方式有两种： 1.单译码方式（或称字结构） 它的全部地址只用一个电路译码，译码输出的字选择线直接选中对应地址码的存储单元。第10页/共27页2.双译码方式（或称重合译码） 双译码方式如图5.4所示。 它将地址码分为X和Y两部分，用两个译码电路分别译码。 Ｘ向译码又称行译码，其输出线称行选择线，它选中存储矩阵中一行的所有存储单元。 Ｙ向译码又称列译码，其输出线称列选择线，它选中一列的所有单元。 只有X向和Y向的选择线同时选中的那一位存储单元,才能进行读或写操作。第11页/共27页 （三）读/写电路与控制电路 读/写电路包括读/写放大器、数据缓冲器（三态双向缓冲器）等。它是数据信息输入和输出的通道。 外界对存储器的控制信号有读信号（ＲＤ）、写信号（ＷＲ）和片选信号（ＣＳ）等，通过控制电路以控制存储器的读或写操作以及片选。只有片选信号处于有效状态，存储器才能与外界交换信息。第12页/共27页5.4 存储器的连接 本章要解决两个问题： 一个是如何用容量较小、字长较短的芯片，组成微机系统所需的存储器； 另一个是存储器与ＣＰＵ的连接方法与应注意的问题。第13页/共27页一、存储器芯片的扩充（一）位数的扩充 用１位或４位的存储器芯片构成８位的存储器，可采用位并联的方法。例如，可以用８片２Ｋ×１位的芯片组成容量为２Ｋ×８位的存储器，如图5.15所示。这时，各芯片的数据线分别接到数据总线的各位，而地址线的相应位及各控制线，则并联在一起。图5.16则是用２片１Ｋ×４位的芯片，组成１Ｋ×８位的存储器的情况。这时，一片芯片的数据线接数据总线的低4位，另一片芯片的数据线则接数据总线的高4位。而两片芯片的地址线及控制线则分别并联在一起。第14页/共27页第15页/共27页 （二）地址的扩充 当扩充存储容量时，采用地址串联的方法。这时，要用到地址译码电路，以其输入的地址码来区分高位地址，而以其输出端的控制线来对具有相同低位地址的几片存储器芯片进行片选。 地址译码电路是一种可以将地址码翻译成相应控制信号的电路。有2-4译码器，3-8译码器等。例如图5.17是一个2-4译码器，入端为A0、A12位地址码，输出用1K×4位芯片组成1K×8位存储器4根控制线，对应于地址码的4种状态，不论地址码A0、A1为何值，输出总是只有一根线处于有效状态，如逻辑关系表中所示，输出以低电平为有效。第16页/共27页 例：图5.18是用4片16K×8位的存储器芯片（或是经