二极管扩散片研发规程.pdfVIP

二极管扩散片研发规范 1 范围 本标准规定了二极管扩散片的产品分类及型号和研发程序等内容。 本标准适用于二极管扩散片产品的设计、开发及生产。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 SJ 11471 发光二极管外延片测试方法 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 二极管扩散片 diode diffusers 二极管产品的半成品，是单晶硅经过扩散工艺后就形成了二极管扩散片。其经过后续再加工形成二 极管芯片，经过封装形成二极管成品。 4 产品分类及型号 4.1 产品分类 二极管扩散片按反向恢复时间，可分为超快恢复系列、高效系列、快恢复系列和普通系列。 4.2 产品型号 二极管扩散片产品型号如表1所示。 表1 产品型号 产品分类 型号 SF4 超快恢复系列 SF6 SF8 1 HER4 高效系列 HER6 HER8 FR4 快恢复系列 FR7 FR9 普通系列 STD 5 研发程序 5.1 开发策划 5.1.1 组织产品设计研发前，应充分考虑设计研发持续时间和复杂程度。 5.1.2 应分析产品的市场需求情况，产品应能够获得良好的经济效益。 5.1.3 产品质量和价格应满足客户需求，达到客户标准。 5.1.4 产品应便于生产、验收和控制。 5.2 产品设计 5.2.1 常规参数计算 二极管扩散片常规参数包括：反向恢复时间Trr，反向击穿电压VR，正向导通压降VF。 PN结结构计算参数包括：扩散片厚度，磷结深、硼结深、基区。 5.2.2 原材料（原硅片）选型 根据PN结结构数据设计：原硅片电阻率、电阻率均匀性、厚度、硅片掺杂类型。 5.3 产品试制 新产品试制阶段分为样品试制阶段、小批量试制阶段、中批量试制阶段和大批量试制阶段： a) 样品试制阶段：根据设计参数进行产品样品试制，对产品的可行性和可操作性进行验证。普通 系列(STD)可试制20 片，超快恢复系列（SF）、高效系列（HER）和快恢复系列 （FR）可试制 30 片； b) 小批量试制阶段：对产品的设计结构及质量进行验证，使产品设计基本定型。小批量可试制 100 片； c) 中批量试制阶段：验证产品工艺是否能保证，审查产品主要工艺存在的问题。中批量可试制 1500-2000 片； d) 大批量试制阶段：从技术、经济等方面对新产品作出全面评价，得出全面定型结论，投入正式 生产。大批量可试制2000-10000 片。 5.4 产品检验 5.4.1 温度条件 应在23-26℃条件下进行检验。 5.4.2 二极管扩散片几何参数 2 5.4.2.1 直径 按GB/T 14140的规定进行测量。 5.4.2.2 翘曲度