电子系统设计低压电源的设计.pptVIP

* 非隔离降压开关稳压电路（Buck电路） Uo/Ui=ton/(ton+toff)= Δ L2*(Vi-Vo)*Ton/Iomax F=1/ [2pi*(LC)0.5]Fpwm/10 第六十二页，共九十六页。 * 非隔离型升压开关稳压电路（Boost电路） Uo/Ui=1/（1-Δ） L=Vi*Ton*Toff/[2*Io*(Ton+Toff)] F=1/ [2pi*(LC)0.5]Fpwm/10 第六十三页，共九十六页。 * 非隔离型反压电路（Cuk） Ui ID Uo ID S ID VD ID C ID L Uo/Ui=-Δ/（1-Δ） L为传输能量的器件 第六十四页，共九十六页。 * 自动升降压变换器（Buck-Boost） N2 C1 T C2 L2 R Uo VD L1 S Ui Uo/Ui=-Δ/（1-Δ） 第六十五页，共九十六页。 SEPIC拓扑结构开关电源 * 在很多时候，设计者们总是要面对一组非孤立存在的电源规格参数，其中输出电压介于输入电压的最大值与最小值之间。他们必须在SEPIC及反激式拓扑之间作出选择。通常，他们会选择反激式拓扑，主要原因是对SEPIC缺乏了解，而这种选择可能并不是最合理的； 第六十六页，共九十六页。 * 这种电路的电流和电压波形与连续电流模式(CCM) 反向电路类似。开启Q1 时，其利用耦合电感主级的输入电压，在电路中形成能量。关闭Q1 时，电感的电压逆转，然后被钳制到输出电压。电容C_AC 便为SEPIC 与反向电路的差别所在;Q1　开启时，次级电感电流流过它然后接地。Q1 关闭时，主级电感电流流过C_AC，从而增加流经D1 的输出电流。相比反向电路，这种拓扑的一个较大好处是FET 和二极管电压均受到C_AC 的钳制，并且电路中很少有振铃。这样，我们便可以选择使用更低的电压，并由此而产生更高功效的器件。 可采用耦合电感或者两个分立的电感；输入输出隔离，具备短路保护； 第六十七页，共九十六页。 SEPIC自动升降压电路 * LTC1871 SEPIC自动升降压集成电源芯片 第六十八页，共九十六页。 使用注意 2. 反馈电阻网络精度的影响： △ Vo=(△ R1+ △R2)/(R1 ± △ R1)*Vref R1的精度对稳定的精度影响较大。 3. 热设计： a）Junction temperature：内部半导体温度 b）Case temperature：器件外壳温度 c）Ambient temperature:环境温度 d）Thermal Resistance：热阻，每1W功耗对应的温升，单位℃/W，温升有相对关系，比如相对于环境温度的温升。 e）Junction to Ambient thermal Resistance(θ ja)：结点到环境的热阻。和IC封装，材料，PCB layout，空气对流因数相关。 f）Junction to Case thermal Resistance(θ jc)：结点到外壳热阻，和IC封装，材料相关。 Regulator的消耗功率Pd＝(Vi-Vo)*Io 器件的结温＝Pd*θja+环境温度＝(Vi-Vo)*Io* θja+环境温度 第三十页，共九十六页。 总结 1）稳压器正常工作时，调整管工作在饱和导通区。 2）最小压差： a）达林顿＋NPN： Vdopout=Vce(sat)+2*Vbe≈1.6~2.5V b） PNP＋NPN： Vdropout=Vce(sat)+Vbe≈0.9~1.3V c） PNP： Vdropout=Vce(sat)≈0.15~0.4V d） PMOS，PMOS＋NMOS： Vdropout=Io*Ron≈35~350mV 2）静态电流，效率：特别是手持，使用电池的设备。 3）输出电压精度： a） Line Regulation（线性调整率）：－－越小越好 b） Load Regulation（负载调整率）：－－越小越好 c） Thermal Regulation（热调整率）：－－越小越好 d） Temperature Stability（温度稳定度）：－－越小越好 e） Transient Response（瞬态反应）：－－越小越好 f） Ripple Rejection（纹波抑制比）：－－越小越好 4）输出电容ESR注意避开死区 5）热设计考虑 第三十一页，共九十六页。 带电子负载功能