半导体薄膜技术基础-PPT课件（全）.pptx

硅基集成电路历史概述;电子管： 1877年爱迪生效应 C-Cu;电子管计算机;晶体管的起源与发展; “三条腿的魔术师”;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;1948;大连理工大学 李晓干;相移振荡器;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;Moors’ Law;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;;大连理工大学 李晓干;;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;45;;;;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;;;61;;;;;;大连理工大学 李晓干;;;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;半导体主要工艺过程;大连理工大学 李晓干;大连理工大学 李晓干;;大连理工大学 李晓干; The ‘tool kit’developed for IC manufacture, augmented with a few* other processes, has also lead to a revolution in development of micro and nano-systems for Micro-magnetics, micro-photonics, Microelectromechanicalsystems (MEMS), BioMEMS, etc.;集成电路工艺过程概述;;;;;;;;;半导体主要工艺过程;;;;;;;;;;具体的工艺;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;Metal Wire Interconnects;;;;;;;;;;;;;;;;;;一方面：尺寸的缩放;一 要尽量减小这层绝缘栅层的厚度。 二 要尽量减小源漏极之间沟道的长度。 三 要尽量增加栅极和衬底的面积。;另一方面：纳米材料的组装;;;142;143;144;145;146;147;148;149;150;151;152;153;154;155;156;157;158;159;160;161;162;163;164;165;166;167;第四章：拉制硅单晶;;2.冶金级硅材料的制备;3.高纯多晶硅的制备;;3.高纯多晶硅的制备;制备SiHCl3;3.高纯多晶硅的制备;利用蒸馏法提纯SiHCl3;3.高纯多晶硅的制备;SiHCl3的热分解沉积;3.高纯多晶硅的制备;3.高纯多晶硅的制备;3.高纯多晶硅的制备;第四章：硅单晶的制备;4. 硅单晶的制备;直拉法单晶生长（Czochralski 法）;直拉法单晶生长;;直拉法（Czochralski 法）单晶生长-径向成分的均匀性。;直拉法单晶生长-径向成分的均匀性：引起的各种原因。;直拉法单晶生长-径向成分的均匀性：引起的各种原因。;直拉法（Czochralski 法）单晶生长-径向成分的均匀性。;各种转动方式;直拉法（Czochralski 法）单晶生长-径向成分的均匀性。;直拉法（Czochralski 法）单晶生长-径向成分的均匀性。;区熔法(Float-Zone);拉制获得的晶体图片;Wafer manufacture;300mm wafer;第五章 硅氧化（Oxidation）;;硅氧化（Oxidation）;SiO2的结构和性质;在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分 作为集成电路的隔离介质材料 作为电容器的绝缘介质材料 作为多层金属互连层之间的介质材料 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层;SiO2的结构及性质;SiO2的结构;结晶形SiO2;无定形SiO2的结构;SiO2中硅、氧的扩散;SiO2的性质;SiO2的性质;SiO2的性质;杂质在SiO2中的存在形式;杂质在SiO2中的存在形式;杂质在SiO2中的扩散;杂质在SiO2中的扩散;掩蔽作用;掩蔽作用;掩蔽P的扩散过程;SiO2的制备方法;;SiO2的制备方法;;Si表面无SiO2，则氧化剂与Si反应，生成SiO2 ，生长速率由表面化学反应的快慢决定。