半导体器件测试原理和方法.pptxVIP

电力半导体器件的测试安全及原理和方法 ;测试安全注意事项;1. 测试工作人员要具有强烈的事业心和工作责任感，严格执行操作规程。 2. 测试工作人员上岗前必须进行专门培训，取得上岗证后方能进行独立操作。 3. 测试工作人员进入工作岗位必须穿戴好防护用品。 4．测试人员应注意防止高温烫伤，并做好高温标识。;5. 测试加高压前，工作人员必须对各种安全联锁装置进行检查，以确保它们处于有效的工作状态。 6. 各种系统联锁和安全联锁装置是为了保障测试能安全可靠运行及工作人员的人身安全的，不得随意改动或短路。 7．测试时严禁进入标有“高压止步”警示的区域。 8. 测试运行时，发现异常，应立刻停机，通知维修人员进行检查、维修。 9．非测试工作人员因工作需要进入测试楼，必须遵守本安全规程，并服从工作人员的指挥，不得触动设备上的任何按键和开关，以免发生意外。;概 述;应 用;测试原理及方法;电路原理;通态伏安特性（ITM ~ VTM） ;断态和反向峰值电流IDRM 、IRRM;实用电路 【断态和反向不重复峰值电压（VDSM，VRSM）与断态和反向重复峰值电流IDRM、IRRM原理电路等均相似，差异是： 脉冲重复频率：单次脉冲，或发热效应可以忽略的低重复频率 】 ;220V电源经全波可控整流器BR加压在自耦调压器TB原边（只要KP导通），付边输出电压加在高压变压器B的原边，于是B付边输出高压，此时波形仍是交流全波。我们利用整流管正向导通反向阻断特性，正向串入D1，反向串入D2，使a点得到正弦半波电压，调节TB就可调节此电压峰值，按定义这波形符合VDRM测试要求，此电压峰值由D3与电容C组成的峰值保持电路在电容C上就变成等于电压峰值的直流电压，由表头VP显示。当被试元件二端加上VDRM时，电阻R1上的电压就反映了流过元件的漏电流，测出R1上的电压峰值也就测出IDRM，同时将X接示波器X端，Y接Y端，我们就可看到其断态伏安特性①。断开接触器J1，闭合J2，a点电压就加在被试晶闸管负端， 此时测得的为VRRM值和相应的 IRRM，其伏安特性如左图②。线路采用的是转折保护，当元件一旦转折，漏电流急剧增加，此时脉冲变压器MB原边会产生一电压，付边也会感应出一电压，此电压使整流桥BR的KP的门阴极短路，KP元件恢复阻断，220V电源断开，付边高压消失，从而保护了被试元件。其动作时间为10 ms。;IGT、VGT;测试条件;IGD、VGD;IGD、VGD测试;IH维持电流;IH维持电流测试;IL擎住电流;IL擎住电流测试;断态电压临界上升率 （电压上升法）;（门极控制）开通时间（tgt） ; 延迟时间td — 由触发脉冲上升沿的10%起到阳极电压下降到峰值的90%所经历的时间。 上升时间tr — 由阳极正向电压降到峰值 电压90%起降到10%止所经历的时间。 ;（电路换向）关断时间 tq ;;恢复电荷 Qr ;通态（不重复）浪涌电流（ITSM） ;原理电路;通态电流临界上升率 di/dt ;由于通常测试大电流器件时用正弦波，此时R2可忽略，事业部实际也是按LC振荡电路。 交流电经D1，R1向C充电，充至所需值，触发装置B输出一脉冲触发DUT，电容C经L放电，输出dI/dt波形。电容、电感可按下式计算： ? 被试元件做di/dt试验有反压比无反压能承受的临界di/dt要低，标准没明确规定，应结合器件实际运行工况确定试验时有无反压较为科学。 ;热循环负载试验（热疲劳测试） ;;1/15/2023;热阻测试 Rth ;;然后我们用外加热办法加热DUT，此时压机加热单元温度计指示着元件的壳温和结温。在外加热时我们可近似认为壳温和结温相等。待温度稳定时，闭合S1使直流IDC仅仅流通10 ms，S1就断开，此时If流过DUT，记录此时Vf2，我们总能找出一个Vf2 = Vf1时的壳温Tc2（由于外加热，P2 = 0） 利用公式可算得该元件的结壳热阻。这就是LEM Rth 20测试原理和方法。这里介绍的是直流，实际可是正弦半波或矩形波，这里不再介绍，因为样本给出的均是直流热阻。我们应知道的确是直流热阻最小，矩形波、正弦波稍大，当矩形波、正弦波导通角越小时其热阻就越大。 ;高温阻断;高温阻断试验;型式试验（周期检验）;LEM测试台简介 ;LEM测试台简介;LEM测试台简介;;差异;LEM测试台简介;LEM测试台简介;LEM测试台简介;LEM测试台简介;每一次课程的结束，都是持续改进的开始。