SiC芯片关键装备现状及发展趋势.pdf

SiC 芯片关键装备现状及发展趋势 1 SiC 产业环节及关键装备 1.1 SiC 产业链环节 SiC 器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、 芯片、封装、模组及应用环节， SiC 单晶衬底环节通常涉及到高纯 碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工序过程，完成 向下游的衬底供货。SiC 外延环节则比较单一，主要完成在衬底上进 行外延层的制备，采用外延层厚度作为产品的不同系列供货，不同厚 度对应不同耐压等级的器件规格，通常为 1 μm 对应 100 V 左右。 SiC 芯片制备环节负责芯片制造，涉及流程较长，以 IDM 模式 较为普遍。SiC 器件封装环节主要进行芯片固定、引线封装，解决散 热和可靠性等问题，相对来讲国内发展较为成熟，由此完成 SiC 器 件的制备，下一步进入系统产品和应用环节，如图 1 所示。 1.2 SiC 工艺及设备特点 SiC 材料及芯片制备主要工艺为单晶生长、衬底切磨抛、外延生 长、掩膜沉积、图形化、刻蚀、注入、热处理、金属互连等工艺流程 共涉及几十种关键半导体装备。由于 SiC 材料具备高硬度、高熔点、 高密度等特性，在材料和芯片制备过程中，存在一些制造工艺的特殊 性，如单晶采用物理气相传输法（升华法），衬底切磨抛加工过程非 常缓慢，外延生长所需温度极高且工艺窗口很小，芯片制程工艺也需 要高温高能设备制备等。 相比硅基功率器件工艺设备，由于 SiC 工艺的特殊性，传统用 于 Si 基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的 设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割 机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设 备。在图形化、刻蚀、化学掩膜沉积、金属镀膜等工艺段，只需在现 有设备上调整参数，基本上可以兼容适用。因此，产业上需要将 Si 基 功率器件生产线转换成 SiC 器件生产线，往往只需要增加一些专用 设备就可以完成生产线设备平台的转型。各工艺环节关键设备如表 1 所示。 1.3 SiC 工艺及装备挑战 目前制约 SiC 大规模应用仍面临着一些挑战，一是价格成本方 面，由于 SiC 制备困难，材料相对昂贵；二是工艺技术方面，诸多 工艺技术仍采用传统技术，严重依赖于经验参数，制备存在良率不高； 三是装备方面，在多个工艺环节，如温度、能量、低损伤及多重耦合 复杂恶劣的特殊工艺环境指标上对装备要求极高，装备针对 SiC 制 备的成熟度水平仍不够。 特别在工艺设备方面，涉及到物理化学数学理论科学、一般工程 技术和特种工程相关的多种科学技术和工程领域学科范围，需要打破 传统设备很多使用极限，才能快速将 SiC 设备量产化，满足高速发 展产业的需求。 2 国内外碳化硅装备发展状况 2.1 SiC 单晶生长设备 SiC 单晶生长主要有物理气相运输法、高温化学气相沉积法和溶 液转移法，如图 2 所示。目前产业上主要以 PVT 方法为主，相比传 统溶液提拉法，SiC 由于 Si 的溶解度在液体中有限，不再能够很轻 松的长晶。采用 PVT 方法主要是将高纯的SiC 粉末在高温和极低真 空下进行加热升华，在顶部籽晶上凝结成固定取向晶格结构的单晶， 这种方法目前发展较为成熟，但生产较为缓慢，产能有限。几种单晶 生长方法比较如表 2 所示。 采用物理气相运输法，国际上已经可以批量生产 150 mm(6 英寸) 单晶，200 mm(8 英寸)已经出现样品，国内方面 100 mm(4 英寸)单 晶已经商业化， 150 mm （6 英寸）也快速成为主流，相关厂家已开 始进行 200 mm （8 英寸）的研制探索工作。随着材料技术研究深入， SiC 单晶生长炉设备工艺性能进一步成熟，后续在能耗、更快生长速 率、更大生长尺寸和更厚生长长度是设备的提升目标。 2.2 SiC 衬底加工设备 单晶生长后，需要对晶体进行切磨抛，当前有两种工艺方式：一 是采用金刚线多线切割机切割后在进行研磨，如图 3 所示。另外一 种采用激光辐照剥离技术后进行表面处理，如图 4 所示。多线切割 工艺方式是目前最常用的方式，采用金刚砂线在切削液下进行线切割， 碳化硅材料质地坚硬易碎，需要经过数小时缓慢完成加工，然后采用 研磨处理表面凹槽和印痕；激光辐照剥离技术是采用激光辐照技术， 将激光聚焦在 SiC 晶体内部，通过反复重复吸收，使晶体特定位置 的 Si-C 化学键断