半导体器件半导体三极管.pptxVIP

1.2 半导体三极管一、三极管的结构和符号二、三极管的电流放大原理三、三极管的共射输入特性和输出特性四、主要参数五、温度对三极管特性的影响六、电路模型第1页，共28页。第2页，共28页。NPNccbbee一、三极管的结构和符号集电极c集电区：面积大集电结NPNPNP基极b基区： 多子浓度很低，且很薄发射结发射极e发射区： 多子浓度高第3页，共28页。ICIBVCCmA?AVRBUCEUBEVVBB二、三极管的电流放大原理1、一组试验数据分析第4页，共28页。cbe2、三极管放大的内部外部条件三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证NPN第5页，共28页。cRCbRBee3、三极管内部载流子的运动因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区cICNN因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合PbIBNVCCN因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区IEe第6页，共28页。cRCbRBee少数载流子的运动ICcICBONICNIBPbIBNVCCNIEe第7页，共28页。5、电流分配关系共基极直流电流放大系数：共发射极直流电流放大系数：几十到几百第8页，共28页。例:某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。A IAIBICBC第9页，共28页。三、三极管的共射输入特性和输出特性1、输入特性2、输出特性第10页，共28页。1、输入特性为什么像PN结的伏安特性？为什么UCE增大曲线右移？为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。第11页，共28页。2、输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。饱和区为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态，iC曲线几乎是横轴的平行线？ 放大区截止区第12页，共28页。3、晶体管的三个工作区域状态发射结集电结IC截止＜UBE(th)反偏0(ICEO)放大≥ UBE(th)反偏βiB饱和≥ UBE(th) 正偏 ＜βiB硅:UCES ≈0.3V锗: UCES ≈0.1V第13页，共28页。ΔiBΔiC4、电压放大原理描述电流的 微小变化 之间的关系第14页，共28页。简单的电压放大电路IB+ib +UO+uoRL- IE+ie 晶体管工作在放大状态时，输出回路电流 iC几乎仅仅决定于输入回路电流 iB；即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 第15页，共28页。IC+ic例：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？1） VC ＝6V　VB ＝0.7V VE ＝0V2） VC ＝6V　VB ＝4V VE ＝3.6V3） VC ＝3.6V VB ＝4V VE ＝3.3V第16页，共28页。例：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为：1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V2）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。第17页，共28页。通过uBE是否大于UBE(th)判断管子是否导通例：1、分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态；2、已知T导通时的UBE＝0.7V，若当uI=5V，则β在什么范围内T处于放大状态，在什么范围内T处于饱和状态？判断饱和、放大的一般方法：1、电位法 2、电流判别法 3、假设法第18页，共28页。第19页，共28页。四、主要参数1、电流放大系数2、极间反向饱和电流ICBO、ICEO有害电流，由少子运动形成穿透电流第20页，共28页。3、极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO最大集电极耗散功率PCM=iCuCE最大集电极电流安全工作区c-e间击穿电压第21页，共28页。五、温度对三极管的影响第22页，共28页。IB?六、电路模型1、大信号模型IBICBCUBE(on)EE放大状态第23页，共28页。截止状态ICIBICIBBCBCUBE(on)UCES饱和状态,等效于开关闭合EEEE第24页，共28页。ibicbc++uceuberbe--e2、小信号模型晶体管的b、e之间可用rbe等效代替1）低频 简化π型等效电路icib++uceube?ib--晶体管的c、e之间可用一受控电流源ic=?ib等效代替电流方向与ib的方向是关联的。 第25页，共28页。静态电流发射结电阻rb’b基区的体电阻,查阅手册第26页，共28页。ibibrbb?rbb?b?b?bcbcrb?erb?eβibgmub?eee很大，基区宽度效应rce跨导：自变量是交流电压第2