IC工艺技术13-集成电路可靠性.pptVIP

老化筛选 (Burn in) 老化筛选－从对环境的适应性，存放特性，电学性能稳定性等方面去排除器件的潜在缺陷和故障，为使产品稳定化所进行的处理 估计早期失效率(PPM),可及早发现并改善失效模式 试验时间短(168hr)，随机抽样 对要求高可靠产品，可对全部产品老化 老化筛选适应种类和条件条件必须选择适当，否则不但浪费时间，还会降低可靠性 第三十一页，共八十页。 老化筛选(例） 试验名称 所排除的故障 筛选方法 高温存放 表面沾污，氧化层针孔 125-150C 24-168 hr 温度循环 表面沾污，键合不良，芯片黏结不良 (-65C)/150C) 250 cycle 振动 键合不良，芯片开裂，引线开／短路 数十g, 50Hz振动10-60s 偏压试验 金属颗粒，沾污，针孔 10-150C, 24-250V 第三十二页，共八十页。 可靠性试试验 (1) 　　　可靠性评价不可能等待器件自然失效后再进行测试和分析，而是通过一系列模拟环境和加速试验，使器件在较短的时间内失效，然后再进行失效机理的分析。 　　　加速因子包括潮气、温度、一般的环境应力和剩余应力等。 　　　设计合理的加速试验，可以达到检测器件可靠性的目的。 　　　选择合适的样本数也是可靠性试验的关键参数之一，因为样本数少了，不能真实反映器件的可靠性，样本数太大的话，又会造成资源的浪费，需用数理统计方法，合理选择样本数。 第三十三页，共八十页。 可靠性试试验(2) 对于使用寿命很长、可靠性很高的产品来讲，在60％的置信度(confidence level)下，以每千小时0.1％的失效速率(即103FIT)测试产品，则无失效时间长达915,000小时，即若器件样本数为915，则要测试1,000小时才会有一个器件失效；若器件的样本数为92，则要测试10,000小时才会有一个器件失效，这样的测试即不经济又费时，因此，必须在加速使用条件下进行测试。由于失效分析是按照抽样的方法进行分析，所以，在分析失效速度时要用到许多统计的方法，包括根据可靠性要求设计的置信度和样本数，按照实验结果进行数学模型的建立和分析，然后推导出器件的预期寿命。 第三十四页，共八十页。 加速测试(1) ?加速试验的目的是在于让确实存在的缺陷提前暴露出来，而不是为了诱导产生新的缺陷或让存在的缺陷逃脱 ?加速力选择要与器件可靠性要求紧密关联，否则可能对改进设计、材料选择、工艺参数确定等方面产生误导作用。 第三十五页，共八十页。 加速因子 加速因子： 常规条件下的失效时间 加速试验条件下的失效时间 加速因子不但与加速试验条件有关， 还与失效机理、失效位置等因素有关 第三十六页，共八十页。 加速因子 At= t1/t2 =Exp[-Ea/k(1/ TTEST- TUSE)] 　　t1 MTTF at TTEST 　　t2 MTTF at TUSE Ea 热激活能(eV)（和失效机理有关） 　　Oxide 0.8eV Contamination 1.4eV Si Junction Defect 0.8eV 第三十七页，共八十页。 加速因子（例） Test Temp No of Device Hr At TTEST Use Temp 加速因子　At Epqivalent Device Hr @55C 135C 434750 55C 128 125C 211000 55C 77 第三十八页，共八十页。 可靠性试验种类 环境试验 高温储存，温度循环/冲击，高压蒸煮，潮湿偏压，盐雾，耐焊接热 寿命试验 偏压高温寿命试验，动态寿命试验，动态高温寿命试验 机械试验 振动/冲击、加速度、可焊性、键合强度 ESD测试 第三十九页，共八十页。 高温工作寿命（HTOL) ?条件：125oC 或150oC，Vcc max， frequency max, 至少 1000 devices-hrs ?目的：发现热/电加速失效机理，预估长期工作的失效率 ?失效机理：高温下芯片表面和内部的缺陷进一步生长，可动离子富集导致的表面沟道漏电，使结特性退化. 电场加速介质击穿，高温加速电迁移等 (对大功率器件，可采用常温功率负荷的方式使结温达到额定值) 第四十页，共八十页。 高温反偏试验 (HRB) 适用高压MOSFET功率管 (例如600V/4A) 条件：125oC or 150oC， Vgs=0V, Vds=80% of max BVdss Duration: (168,500),1000hr 目的：加速耐高压性能退化 失效机理：高温，高电压作用下