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本实用新型公开了一种高浪涌电流型SiC二极管,包括SiC衬底(1),SiC衬底(1)表面设有深P‑grid层(2),深P‑grid层(2)外部设有浅P+grid层(3)。本实用新型通过在SiC衬底表面形成的浅P+grid层,能够替代现有SiC二极管中的Ni‑Ohmic层起到提高正向浪涌电流的效果;同时通过浅P+grid层和深P‑grid层的配合可以使本实用新型在加工时无需增设新的光刻工艺,进而相比现有的SiC二极管能够减少一道光罩数量,具有生产周期短、生产成本低和正向浪涌电流高的特点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212810312 U
(45)授权公告日 2021.03.26
(21)申请号 202022345163.7
(22)申请日 2020.10.20
(73)专利权人 杭州中瑞宏芯半导体有限公司
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