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第一章 常用半导体器件;§ 1.1 半导体基础知识;一、本征半导体;;;共价键共 用电子对;;化学成分纯净（99. 999%以上） 在物理结构上呈单晶体形态;本征半导体的导电机理;;在外电场的作用下自由电子将作定向运动, 形成电流 空穴被邻近的价电子定向补位, 也形成电流 半导体中电子和空穴都可以形成电流 , 而导体没有空穴导电的概念 .;本征半导体中虽然存在两种载流子，但因本征载流 子的浓度很低，所以总的来说导电能力很差。;由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子; 二、杂质半导体; N 型半导体 — 掺入五价杂质元素（如磷） 的 半导体;N 型半导体;1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同;P 型半导体;; 本征半导体、杂质半导体;思考：; 1. PN结的形成;扩散运动;;（1）空间电荷区（耗尽层、势垒区、高阻区） 内几乎没有载流子，其厚度约为 0.5μｍ （2）内电场的大小： 对硅半导体：VD ≈ 0.6～0.8V 对锗半导体：VD ≈ 0.2～0.4V （3）当两边的掺杂浓度相等时，PN结是对称的 当两边的掺杂浓度不等时，PN结不对称 （4）从宏观上看，自由状态下，PN结中无电流 ;1.空间电荷区中内电场阻碍 P 区中的空穴 N 区中的电子（都是多子）向对方运动 (扩散运动）;PN 结的形成;当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，PN结正向偏置，简称正偏 ;;当外加电压使PN结中N区的电位高于P区的电位， 称为加反向电压，简称反偏 ;;;问题;四、PN 结的电容效应;1. 势垒电容 CT ：;2. 扩散电容 CD 两区在 PN 结正偏时，多子存在净的 越结扩散，进入对方区域中成为非平 衡少子，在空间电荷区两侧积累，形 成非平衡少子浓度分布nP(x) 和pn(x) 存在非平衡少子浓度分布的两个区域 → 扩散区;CD ∝ PN 结正向直流电流;势垒电容;§ 1. 2 半导体二极管; 一、二极管的组成; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程;从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性;三、二极管的等效电路;2. 微变等效电路; 小信号模型;四、二极管的主要参数;讨论：;2) 图解法;vD;讨论：;例：估算二极管上交流电压与电流的振幅值 vdm 和 idm;;五、稳压二极管;六、变容二极管;;CT 和 CD 对外电路并连，总的等效电容： Cj = CT+CD Cj 称为 PN 结的结电容 一般CT在几个PF量级，CD在几十PF量级; 极间电容 C 和 最高工作频率;;变容二极管广泛用于高频电路;特殊二极管（了解）请阅读教材;§1.3 晶体三极管;;两种类型的三极管;基区;两种类型的三极管;结构特点：;1. BJT放大状态及电流分配关系;iEP;以上看出： 三极管内有两种载流子参与导电 (自由电子和空穴) ;iEP;iEP; ? 为共基极直流 电流放大系数， 与管子结构和掺 杂浓度有关，一般： ? = 0.9 ? 0.99;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流;解： 和 的方向和大小表明该管处于放大偏置， 断开 E 点时表读数是集电结反向饱和电流 ，断开 B 点时表读数是穿透电流 ，即 ;;例：VCE = 6V 时： IB = 40 ?A, IC = 1.5 mA IB = 60 ?A, IC = 2.3 mA;放大的外部条件：;;;;vCE = 0V; 输入特性曲线;2.共射输出特性曲线;iC= f(vCE)?iB = const;+;晶体管的三个工作区域;四、温度对晶体管特性的影响;五. BJT 的主要参数; = IC / IB ? vCE = const;2)共发射极交流电流放大系数? ? = ?IC / ?IB?vCE = const; 2) 集电极发射极间的反向饱和电流 ICEO ICEO=（1+ ）ICBO ;1) 集电极最大允许电流 ICM; ? BVCEO —— 基极开路时集电极和发射极 间的击穿电压(