硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法.pdfVIP

GB/T 1553—XXXX 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 1 范围 本文件适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测试。 本文件包含了适用于具有特殊尺寸和欧姆接触的长方体或圆柱体硅和锗单晶样品的直流光电导衰 减-脉冲光法和适用于硅单晶锭或块的高频光电导衰减方法。 硅单晶的测试范围：电阻率 （10~5000）Ω·cm，寿命100~5000μs。 2 规范性引用文件 下列文件中对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本 文件。凡不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 26074 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 3 术语 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 3.1 灯丝寿命 filament lifetime 从光导电压峰值或饱和电压到光导电压衰减等于ΔV0/e 的时间。 3.2 体寿命 bulk lifetime 在空穴-电子对的表面复合可以忽略不计的情况下，只是通过晶体内杂质和缺陷的复合作用所决定 的寿命。 注：体寿命可以是少数载流子寿命也可以是载流子复合寿命，区别以表面复合为主的表面寿命。 3.3 少数载流子寿命 minority carrier lifetime 均匀半导体中非平衡少数载流子由产生到复合存在的平均时间间隔。 注：在满足小注入条件下，其数值等于非平衡少数载流子浓度衰减到起始值的1/e （e 2.718）所需的时间。 3.4 注入水平 injection level 在非本征半导体晶体或晶片内，由光子或其他方式产生的非平衡少数载流子浓度与多数载流子的 热平衡浓度之比。注入水平与激发脉冲停止后立即产生的初始过剩载流子浓度有关。 4 干扰因素 1 4.1 陷阱效应影响 4.1.1 对于室温下的硅和低温下的锗而言，载流子陷阱会对载流子寿命产生影响。如果样品中存在陷 阱效应，脉冲光停止后，非平衡少数载流子将保持较高浓度并维持相当长一段时间，光电导衰减曲线 会出现一条长长的尾巴。在这段衰减曲线上进行测试将错误的导致少数载流子寿命值增大。 4.1.2 样品是否存在陷阱效应由灯丝寿命值的变化来确定。寿命值从小于衰减曲线峰值 （△V0）的 25%的曲线部分来确定。若寿命值在沿曲线更低处测试时反而增加，则存在陷阱。此外，把样品加热到 50 ℃～70 ℃或用一稳定的本底光照射样品，可消除陷阱效应。若陷阱的影响超过曲线总幅度的5%， 则该样品不适于用直流光电导-脉冲光法测试。 4.2 注入比的影响 注入比严重影响测试结果，少数载流子寿命测试需要保证在小注入条件下进行。由于不同电阻率 时符合小注入的条件不同，可以通过改变光强观察寿命值的变化来初步判断，当少子寿命不随注入比 而改变时，就可以大致判断测试结果为少数载流子寿命。 4.3 电阻率的影响 为保证少数载流子测试的小注入条件，当电阻率较低时，往往很难得到较好的少子寿命值。因 此，测试时需在测试方法及使用设备要求的范围内。 4.4 光生伏特效应影响 对于不均匀的半导体样品，光照可能会引发光生伏特效应，产生使衰减信号扭曲的光电压。为了 消除此影响，测试的时候还需注意避免光照。在没有电流通过时就呈现光电压的样品不适宜用本方法 测试。 4.5 温度影响 半导体中杂质的复合特性会受温度的强烈影响，在测试时控制温度就相当重要。在相同温度下进 行的测试才可以做比较。并且对于本征的、高电阻率的样品受温度影响比较大，温度要求在26 ℃ ~28 ℃范围之内。 4.6 杂质复合中心的影响 不同的杂质中心具有不同的复合特性，当样品中存在一种以上类型的复合中心时，观察到的衰减 曲线可能包含两个或多个具有不同时间常数的指数曲线，诸曲线合成结果也不呈指数规律，测试不能 得出单一寿命值。 4.7 研磨材料的影响 样品的体寿命也会受研磨材料的影响，选择适宜的研磨材料相当重要。 4.8 样品尺寸及表面的影响 样品的大小和表面状态对直流光电