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- 2023-04-25 发布于四川
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提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:基底,包括凹部;栅极绝缘层,位于凹部的表面上;第一栅极图案,位于栅极绝缘层上,并且填充凹部的下部;第二栅极图案,在凹部中位于第一栅极图案上,并且包括具有与第一栅极图案的逸出功不同的逸出功的材料;盖绝缘图案,位于第二栅极图案上,并且填充凹部的上部;泄漏阻挡氧化物层,在凹部在第一栅极图案的上表面上方的上侧壁处位于栅极绝缘层上,并且接触盖绝缘图案的侧壁;以及杂质区,位于基底中并且与凹部的上侧壁相邻,每个杂质区具有比第一栅极图案的上表面高的下表面。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068685 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110589033.4
(22)申请日 2021.05.28
(30)优先权数据
10-2020-0
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