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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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半导体装置.pdf

    本发明的半导体装置包含：第1沟槽，形成于半导体芯片的工作区域中；第1电极，介隔形成于所述第1沟槽内表面的第1绝缘膜而形成于所述第1沟槽内；第2沟槽，以大于所述第1沟槽的宽度形成于半导体芯片的周边区域内，沿着第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向延伸，且具有从所述第1方向朝向所述第2方向弯曲的转角部；第2绝缘膜，形成于所述第2沟槽的内表面；及第2电极，介隔所述第2绝缘膜而形成于所述第2沟槽内，且与所述第1电极电连接；所述第1绝缘膜具有第1薄壁部，所述第1薄壁部形成于所述第1沟槽的底部，且选择性地比

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068715 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110618937.5 (22)申请日 2021.06.03 (30)优先权数据 2020-1302

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