实验22MOSFET的低频CV特性测量.docxVIP

实验 22 MOSFET 的低频 CV 特性测量 MOSFET 的低频CV 特性测量就是通过对MOSFET 的电容-电压(C-V)特性测试， 进而得出氧化层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层电荷密度、耗尽层电荷密度以及阈值电压等参数。CV 测试被广泛地应用在半导体参数的测量中，是一种能够得到许多工艺参数的重要测试手段，能够有效地评估工艺、材料及器件的性能。该方法是通过在栅极直流偏置条件下叠加小幅交流低频信号后，MOSFET 栅电容随栅电压变化而发生变化，由此得出电容电压关系曲线，进而计算出各种工艺参数。具有原理简单、操作方便和测量精度高等优点。 本实验目的是熟悉电容-电压法测量 MOSFET 工艺和衬底参数的基本原理；学会精密 LCR 表、直流稳压电源的使用方法；完善所学半导体物理、半导体工艺等理论知识体系。 一、实 验 原 理 MOSFET 电容模型 MOSFET 中的电容与施加电压有关。栅极与衬底之间的电容取决于栅极上所施加的直流电压，可以通过在直流电压上叠加幅度小得多的交流电压进行测量。图 22.1 给出了栅电压从负值变到正值时，NMOS 晶体管的能带结构、电荷分布和等效电容模型。 图 22.1 栅电压变化时 NMOS 结构的能带图、电荷分布和等效电容 当衬底保持接地并在栅极施加负电压时，NMOSFET 结构的电容效应将使衬底靠近氧化层一侧的表面开始存储正电荷。该表面将有比受主浓度 NA 更高的空穴积累，这种情形称为表面积累。在此条件下氧化层两面的可动电荷能迅速响应施加电压的变化， NMOS 器件就如同是一个厚度为 tOX 的平板电容器，采用 COX 表示其值。 当衬底保持接地并在栅极施加正电压时，随着栅极与衬底之间正电压的增加，更多受主暴露于衬底靠近氧化层一侧的表面，该表面附近的载流子被逐步耗尽，形成了电离受主离子在表面的积累，这就是所谓的表面耗尽。静电分析表明 NMOS 器件的总电容 C C C C OX d 随着栅电压的进一步增加，NMOS 结构中能带将在氧化层与衬底界面处发生显著弯 x曲。当耗尽区达到最大宽度 时，耗尽区中只剩下电离受主杂质离子。耗尽区远离 x dmax 氧化层一侧的衬底中产生的载流子超过了复合，所产生的电子通过电场掠过耗尽层势垒 区到达氧化层－硅界面。因此衬底总电荷就是这两种电荷之和。这种情形称为表面反型， 静电分析表明 MOS 器件总电容是串联的氧化层电容、并联的耗尽电容以及表面电荷电 C容 与耗尽电阻的串联组合。 C i MOSFET 参数计算 MOS 晶体管栅极与衬底之间的电容的测量极为重要，可以通过电容的测量，计算 N出许多衬底及工艺参数，如衬底掺杂浓度 N sub 、平带电压V 、氧化层电荷密度 、耗 QFB SS Q Q V Q V b TH OX1.) 氧化层厚度 t ： OX 在表面积累情况下，MOS 结构电容可视为平板电容器，可以表示为： C ? A ?108 ? ? ? ? / t pF (22-1) ox r 0 OX 0 r式中，A 表示栅极区面积，单位为μm2；ε 为真空介电常数，其值为8.854×10-14F/cm；ε 为 SiO2 的相对介电常数，其值为 3.9；COX 是重累积时的被测电容，对应于VGS= VDD 时 0 r 根据上式，可以求出 t ，其值为： OX t ? A ?108 ? ? OX r ? / C 0 ox ? 3.45 ?10?5 ? A / C ox μm (22-2) 2.) 衬底杂质浓度 N  sub 和费米势 ： Φf Φ N Φ N Φ sub f 4?10?8 ? 4?10?8 ? ? N ? sub f q?? ?? rSi 0 ? S min ? cm ? A ? (22-3) KT ?? ? ? ln? N ? ? ?0.0258 * ln? N KT ? isub ? ? i ? sub ? V (22-4) ?f q n ? i ? ? n ? 式中，ni是本征载流子浓度，单位为cm-3；费米势的符号由沟道中掺杂的类型确定，N 型掺杂为正，P型掺杂为负，单位为V；CSmin表示最小耗尽层电容，单位为pF；εrSi为硅 的相对介电常数，其值为11.9；q是电子电荷，其值为1.602×10-19，单位为C；K是玻尔兹 曼常数，其值为1.38×10-23，单位为J/K；T是绝对温度，单位为K。 式(22-3)和式(22-4)的联立方程组没有闭合形式的解，可以使用计算机编程迭代求 解，通过给 CSmin 赋初值反复迭代，最后得到 Nsub 和 φf 值。这种方法计算复杂度较大， 需要具有一定的数学功底和计算机编程能力才能顺利地完成。为简化实验难度，通常可以采用查图表法完成衬底掺杂浓度的求解。 根据半导体