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半导体制造工艺流程 半导体相关知识 本征材料：纯硅 9-10 个 250000Ω.cm3 N 型硅： 掺入 V 族元素--磷 P、砷As、锑 Sb P 型硅： 掺入 III 族元素—镓 Ga、硼B PN 结： 半 导体元件制造过程可分为 前段（Front End）制程 晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab）、 晶圆针测制程（Wafer Probe）； 后段（Back End） 构装（Packaging）、 测试制程（Initial Test and Final Test） 晶圆边缘检测系统 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件，为各制程中所需技术最 复杂且资金投入最多的过程 ，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达 数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，有时可达数千万一台，其所需制造环境为为一温 度、湿度与 含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是 随着产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适 当的清洗 （Cleaning）之后，接着进行氧化（Oxidation）及沉积，最后进行微影、蚀刻及离子植入 等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作 晶圆与晶片的区别 制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片。这要从硅锭的生长开始。单晶硅是原子以三维空 间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体 单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用 中使用的晶圆片。晶片由晶圆切割成，直径和晶圆相同，厚度为300μm 由于硅很硬，要用金刚石锯来准确切割晶圆片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片 激光锯也有助于减少对 晶圆片的损伤 、厚度不均 、弯 曲以及翘 曲缺陷 nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;切割晶圆片后，开始进入研磨工艺。研磨晶圆片 以减少正面和背面的锯痕和表面损伤 同时打薄晶圆片并帮助释放切割过程中积累的硬力 研磨后，进入刻蚀和清洗工艺，使用氢氧化钠、乙酸和硝酸的混合物以减轻磨片过程中产 生的损伤和裂纹。关键的倒角工艺是要将晶圆片的边缘磨圆，彻底消除将来电路制作过程 中破损的可能性。倒角后，要按照最终用户的要求，经常需要对边缘进行抛光，提高整体 清洁度以进一步减少破损 硅片监控 图表 8 硅片监控 晶圆（晶片） 图表 10 晶圆切割 晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再 经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的 「多 晶硅 。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支 85 公分长，重公斤的 8 寸 硅晶棒，约需 2 天半时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半 导体之原料 晶圆片 二、晶圆针测制程 经过晶圆处理制程后，晶圆上即形成一格格的小格 ，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在 一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆 上制作不同规 格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试 其电气特性， 而不合格的的晶粒将会被标上记号（Ink Dot），此程序即 称之为晶圆针测 制程（Wafer Probe）。然后晶圆将依晶粒 为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC 构装制程 IC 构装制程 （Packaging）：利用塑料和陶瓷包装晶粒以成积体电路 目的：是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。 半导体制造环境要求 主要污染源：微尘颗粒、中金属离子、有机物残留物和钠离子等轻金属例子。 超净间：洁净等级主要由 微尘颗粒数/m3 I 级 35 3 1 NA 10 级 350 75 30 10 NA 100 级 NA 750 300 100 NA 1000 级 NA NA NA 1000 7