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双极型功率晶体管BJT第1页/共11页 9.3.1 双极型功率晶体管（BJT） 1. 功率管的选择 (1) PCM≥0.2Pom (2) |U(BR)CEO|2VCC(3) ICM＞VCC/RC9.3 功率器件与散热在互补推挽功率放大电路中,功率管的极限参数应满足以下关系第2页/共11页 2．二次击穿的影响 iCuCEOBA二次击穿一次击穿S/B曲线二次击穿现象二次击穿临界曲线iCuCEO第3页/共11页 1. V型NMOS管的结构 结构剖面图9.3.2 功率MOSFET s 源极 g 栅极 金属源极S i O2沟道沟道外延层衬底d 漏极_N +PPNN +N +第4页/共11页 2. V型NMOS管的主要特点(1) 开关速度高 (2) 驱动电流小 (3) 过载能力强 (4) 易于并联 第5页/共11页 IGBT等效电路dT1gsRT2IGBT电路符号gsdT9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）第6页/共11页 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点：(1) 输入阻抗高(2) 工作速度快(3) 通态电阻低(4) 阻断电阻高(5) 承受电流大兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。第7页/共11页 外壳c集电结j散热器sR( t h ) j cR( t h ) c sR( t h ) s a环境a9.3.4 功率器件的散热晶体管的散热示意图第8页/共11页 导电回路（电路）散热回路（热路）参 量符 号单 位参 量符 号单位电 压UV温 差ΔToC电 流IA最大允许功耗PCMW电 阻RΩ热 阻RToC/W 功率器件的散热分析方法导电回路和散热回路参数对照表电——热模拟法,即用电路来模拟功率器件的散热回路。第9页/共11页 Tj——集电结的结温Tc ——功率管的壳温Ts ——散热器温度Ta ——环境温度Rjc ——集电结到管壳的热阻Rcs ——管壳至散热片的热阻Rsa ——散热片至环境的热阻散热等效热路TjTcTsTaRjcRcsRsajcsaPCM第10页/共11页 感谢您的欣赏第11页/共11页