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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明实施例公开了一种半导体器件及其制作方法；该半导体器件的制作方法包括：提供一包括多个沟道开孔的堆叠层；在该沟道开孔内及该堆叠层上形成存储功能层及沟道层；在第一温度条件下，在该沟道层上形成保护层；该第一温度为450℃至500℃；本发明通过在沟道层上450℃至500℃的温度下，制作形成保护层，较低的形成温度可以减少沟道层的界面氧化或缺陷，在后续制作时，保护层也可以对沟道层起到一定的保护作用，保护了半导体器件，提高了半导体器件的寿命及性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300466 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111643469.3
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 长江
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