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- 2023-05-10 发布于四川
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本申请提供了一种X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统。X射线平板探测器包括:基底;背板层,位于基底上,包括若干薄膜晶体管,每一薄膜晶体管包括源漏极层。走线层,位于背板层远离基底一侧,包括若干连接线。感光器件层,位于走线层远离基底一侧,包括多个第一电极,每一第一电极通过一连接线与一薄膜晶体管的源漏极层,且感光器件层在基底上的正投影与背板层在基底上的正投影不重叠。本申请能够提高X射线平板探测器的填充率,进而能够提升X射线平板探测器的分辨率和探测性能;另外,连接线的设置能够进一步提升X射线
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520239 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202011311373.2
(22)申请日 2020.11.20
(71)申请人 京东方科技集团股份有限公司
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