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- 2023-05-17 发布于四川
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本申请涉及晶体生长领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。包括以下步骤单晶生长：装有GaAs熔体的坩埚逐渐下降，并依次经过高温区、晶体生长区、低温区，单晶生长的过程中，结晶界面始终处于晶体生长区内；所述高温区的温度区间为1260‑1250℃，所述晶体生长区的温度区间为1250‑1200℃，所述低温区的温度区间为1200‑780℃；所述晶体生长区的温度随高度的降低逐渐降低。本申请的制备方法具有提高砷化镓生长品质的优点。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114808106 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210205388.3
(22)申请日 2022.03.02
(71)申请人 北京通美晶体技术股份有限公司
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