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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件促进其上EM辐射的吸收。该器件在至少一个侧向朝向延伸。EM辐射吸收层被沉积在第一层表面上，该EM辐射吸收层包括至少一种颗粒结构的不连续层，该颗粒结构包括沉积材料。该颗粒结构促进入射在其上的EM辐射的吸收，并且可包括晶种，该沉积材料可倾向于围绕该晶种聚结，并且/或者包括与共沉积介电材料共沉积的该沉积材料。该EM辐射吸收层可设置在支撑介电层上和/或由覆盖介电层覆盖。公开了一种图案化涂层，其对于该沉积材料和/或晶种材料在该图案化涂层的表面上的沉积的初
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116171257 A
(43)申请公布日 2023.05.26
(21)申请号 202180067758.5 (87)PCT国际申请的公布数据
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