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一种减小密勒电容的分离式沟槽栅IGBT结构.pdfVIP

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  • 2023-05-29 发布于四川
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一种减小密勒电容的分离式沟槽栅IGBT结构.pdf

    本发明提供了一种减小密勒电容的分离式沟槽栅IGBT结构，该结构在具有浮空P区的常规沟槽栅IGBT结构的基础上，对沟槽栅部分进行分离式设计，首先将沟槽栅分为上部栅与下部栅，然后对上部栅再次进行分离式设计，分为左右两栅。上部两栅中靠近浮空P区的连接发射极，余者连接栅极，下部栅则连接发射极。连接发射极的栅电极统称为屏蔽栅，屏蔽栅通过大幅减小器件集电极与栅极的交叠面积，从而达到降低密勒电容的目的。同时，在器件开启阶段，上部屏蔽栅电极能够使来自浮空P区的位移电流无法进入栅极，从而提高栅极电压的可控性，减小

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115832033 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211452766.4 (22)申请日 2022.11.21 (71)申请人 电子科技大学 地址 611731

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