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半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

    本发明提供一种半导体结构及其制造方法。此半导体结构包括一基底以及设置于基底内的一埋入式闸极结构。埋入式闸极结构包括一闸极介电层，位于基底中的沟槽的侧壁和底面上；一阻障层，位于沟槽中且位于闸极介电层的侧壁和底面上；一第一功函数层，位于沟槽中且包括一主体部和位于主体部上并连接主体部的一突起部；一第二功函数层，位于第一功函数层的突起部的两侧；以及一绝缘层，位于沟槽中且位于第一功函数层的突起部及第二功函数层上。其中阻障层围绕主体部的侧壁和底面，突起部的顶面面积小于突起部的底面面积。本发明的半导体结构及其

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115832027 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202111080654.6 (22)申请日 2021.09.15 (71)申请人 华邦电子股份有限公司 地址 中国台

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