一种沟槽MOSFET器件的终端结构及制造方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.25万字
约 14页
2023-06-03 发布于四川
举报
版权申诉

一种沟槽MOSFET器件的终端结构及制造方法.pdf

1、本文档共14页，其中可免费阅读13页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及一种沟槽MOSFET器件的终端结构，包括终端保护区，终端保护区包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，其特征在于，在终端保护区，第一导电类型漂移区内设有与元胞区邻接的过渡区沟槽、位于终端保护区边缘的截止沟槽，过渡区沟槽和截止沟槽间设有缓变结第二导电类型阱区，缓变结第二导电类型阱区上覆盖有绝缘介质，绝缘介质上覆盖有源极金属，源极金属穿过绝缘介质与缓变结第二导电类型阱区欧姆接触；本发明通过改进终端结构，采用缓变结第二导电类型阱区来进行分压，不仅能提高器件的耐压能力

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635548 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011598537.4 (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人江苏捷捷微电子股份有限公司

您可能关注的文档

文档评论（0）

知识产权出版社 + 关注: 官方认证

文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

咨询Ta 进入空间

认证主体北京中献电子技术开发有限公司

IP属地四川

统一社会信用代码/组织机构代码: 91110108102011667U

1亿VIP精品文档

更多 >

一种沟槽MOSFET器件的终端结构及制造方法.pdfVIP