1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构的形成方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约9.36千字
  • 约 9页
  • 2023-06-03 发布于四川
  • 举报

半导体结构的形成方法.pdf

    一种半导体结构的形成方法，将若干待退火晶圆放置于晶舟中相应的晶圆卡槽内，且两相邻待退火晶圆之间空隔至少一个晶圆卡槽；对所述放置在晶圆卡槽中的待退火晶圆进行退火。采用前述特定的方式在晶舟中放置晶圆，使得两相邻待退火晶圆之间的距离变大，在后续进行退火时，使得炉管腔室中气体的分布均匀，从而使得待退火晶圆表面的温度差会减小，进而减小待退火晶圆中产生的热应力的大小，因而防止热应力带来的待退火晶圆的翘动或跳动，从而防止或减小待退火晶圆背面与晶舟的晶圆卡槽接触位置由于摩擦带来的损伤或划伤，从而防止或减少硅晶格

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112652532 A (43)申请公布日 2021.04.13 (21)申请号 202011528556.X (22)申请日 2020.12.22 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >