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本发明公开了一种三维铁电存储器件的制造方法，包括：提供衬底；对所述衬底进行掺杂，以形成源极；在所述衬底上形成数条纳米线，所述纳米线的延伸方向垂直于所述衬底；在所述衬底上形成栅极材料层；图案化所述栅极材料层以形成环绕所述纳米线的栅极；在所述纳米线上形成漏极；形成铁电电容器，所述铁电电容器与所述漏极电连接。根据本发明提供的三维铁电存储器件的制造方法，通过垂直纳米线环绕栅极(GAA)构建三维铁电存储器件，减小了三维铁电存储器件的管芯尺寸，降低了功耗，避免了信号传播延迟等问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112736083 A
(43)申请公布日 2021.04.30
(21)申请号 202011562885.6 H01L 29/423 (2006.01)
(22)申请日
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