华南师范大学材料科学与工程教程固体材料的电子结构一资料.pptxVIP

华南师范大学材料科学与工程教程固体材料的电子结构一资料;一、固体的能带理论; 对“固体”而言，着重讨论的是能带而不是能级，相应的就是1s能带、2s能带、2p 能带等，在这能带之间，存在着一些无电子能级的能量区域——禁带（见右图）; 孤立原子的能级和固体的能带有以下三种情况（1）能级和能带一、一对应;（2）能带交叠 例如,Na的外层价电子是3s1态，Na原子的3s能级随着原子间距的减少，能级将扩展成3s能带，这个能带是半满的。图中的3p, 4s, 3d能带，在Na原子中，这些能带都是空的。随着原子间距的减少，能带变宽，在平衡原子间距re处，各能带已明显的交叠。;（3）先交叠再分裂，例如金刚石结构;2、金属的能带结构与导电性; （b）对于贵金属（IB族）Cu的电子能带图，;d）过渡金属的电子能带图，;3.费米能;量子状态数[S（E）d(E)]目取决于四个量子数；;费米能Ef的意义;右图显示了不同温度时电子的费米度分布 费密能的意义： ? Ef以下的能级基本上是被电子填满，Ef 以上的能级基本上是空的。虽然只要 T ? 0，相当于 Ef 能量能级，被电子占据的几率只有1/2，但据费米分布特性可知，对于一个未被电子填满的能级来说，可推测它必定就在Ef附近； ? 由于热运动，电子可具有大于 Ef 的能量而跃迁到导带中，但只集中于导带的底部。同理，价带中的空穴也集中于价带的顶部，电子和空穴都有导电的本领——载流子 ? 对于一般金属，Ef 处于价带与导带的分界;4. 半导体与绝缘体;电子能否由价带跃迁到空的导带，主要决定于能隙Eg的大小，（C. 5.4eV、Si. 1.1eV、Ge. 0.67eV、Sn. 0.08eV） 由此决定了金刚石是绝缘体，Si、Ge为半导体，Sn则为弱导体;二、半导体;禁带宽度=导带中的最低能量-价带中最高能量;2.掺杂半导体;1）n型半导体;第20页/共50页; 因为VA族元素能向半导体导带提供电子，叫做施主杂质，而当施主杂质的电子 进入导带时，在价带中并无相应的空穴产生 n 型半导体的载流子浓度为： n总＝ne（施主）＋ne（本征） ＋nh（本征）;低温时，纯半导体中电子热激活跃迁几率很小（因 Eg 较大），这时电子总数由前一项决定 当温度增高时???有越来越多的施主杂质电子能克服Ed进入导带，直到最后所有杂质电子都进入导带——相应的温度成为施主耗尽温度——这时的电导率实际是一常数 （这是因为一方面已没有更多的杂质电子可用，另一方面温度还太低，不足以激发起明显数量的本征电子及空穴）;2）p型半导体;第24页/共50页;25;p型和n型半导体都不能直接用来制造半导体器件;在p-n结处形成一定的电势差U0;第28页/共50页;第29页/共50页;;3）半导体化合物;?许多氧化物和硫化物都有非化学比半导体化合物的特性，例如有过多的Zn原子加进ZnO，Zn以Zn 2＋态进入ZnO中，放出两个电子，从而提供了载流子，其只需要很小的Ed就可进入导带。;二元化合物半导体;多元化合物半导体;第35页/共50页;三、材料的磁性;?e 的大小为： ?e＝IA （A电子回路的面积）故有： ;除了轨道磁矩外，还有电子的自旋磁矩 ?s ;2、抗磁体、顺磁体和铁磁体;由于材料的磁偶极子和磁场的交互作用，可出现四种情况：;磁化强度、磁化率的问题; 当有外磁场作用时，各原子的磁矩趋于磁场方向排列的几率就要大些，磁矩在磁场方向分量的平均值就不为零，顺着磁场方向就有宏观磁矩产生;在大量原子集合体中，当邻近原子相互靠近到一定距离时，它们的内 d 层电子之间会产生一种静电的交互作用，即互相交换了电子的位置，其交换能由量子力学给出：;?大多数稀土元素 a/ r 7 ，电子交互作用很弱，A只是一个很小的正值，因而也不显铁磁性;;3.磁化曲线与磁畴结构;①铁磁体是由许多小磁畴组成的，其尺寸大小不等，平均小于晶粒尺寸，109 ～1015原子/ 磁畴 ②每一磁畴内电子的自旋磁矩方向相同，通常沿着易磁化方向，使单个磁畴具有很高的磁饱和强度，即如一个很强的小磁铁 但由于晶体中易磁化方向有多个（铁易磁化方向[ 100 ]共6个，镍的易磁化方向 [ 111] 共8个），;假若只形成一个大磁畴，所有的磁偶极子均同向排列就如同一条形磁铁，在条形磁体内部也产生一个磁场，与晶体的磁化强度方向相反，其削弱了外磁场对晶体的磁化作用，这一磁场叫做退磁场。 退磁场和铁磁体的交互作用能称为退磁能，单一的大磁畴;实验证实铁磁体内确实存在磁畴，右图为Fe－Si合金在 {100} 面的磁畴，磁畴壁宽度约300个原子间距; 产生磁畴壁运动不可逆的原因，是因