半导体物理学第七版完整课后题答案.docx

第一章习题 设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 E (k)和价带极大值附近 c 能量 E (k)分别为： V h2 k 2 h2 (k ? k )2 h2 k 2 3h2 k 2 E = ? 1 , E (k) ? 1 ? c 3m 0 m V 6m m 0 0 0 ? m 为电子惯性质量，k ? 0 1 , a ? 0.314nm。试求： a 禁带宽度; 导带底电子有效质量; 价带顶电子有效质量; 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1） 导带： 2?2 k 2?2 (k ? k ) 由 ???1 ? 0 3m m 0 0 得：k ? 3 k 4 1 d 2 E 又因为： c ? 2?2 ? 2?2 ? 8?2 ? 0 dk 2 3m m 3m 0 0 0 所以：在k ? 价带： 3 k处，Ec取极小值 4 VdE ? ? 6?2 k ? 0得k ? 0 V dk m 0 d 2 E  6?2 又因为 V ? ? ? 0, 所以k ? 0处，E 取极大值 dk 2 m 0 3 V ?2 k 2 因此：E g ? E ( k C 4 1 ) ? E V (0) ? 1 12m ? 0.64eV 0 (2)m* ? nC  ?2d 2 ECdk 2 ?2 d 2 E C dk 2 3 ? 3 m 8 0 (3)m* ? ? ? m0 ?2d 2 ?2 d 2 E V dk 2 1k ?0 1 (4)准动量的定义：p ? ?k 3 所以：?p ? (?k )  3k ? k 3 ? (?k )  k ?0 ? ? k 4 1 ? 0 ? 7.95 ?10?25 N / s 4 1 晶格常数为的一维晶格，当外加 102V/m，107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据： f ? qE ? h ?k 得?t ? ?t ??k qE ?t ? 1 ?t ? 2 ?(0 ? ? ) a ? 1.6 ?10?19 ?102 ?(0 ? ? ) a ? 1.6 ?10?19 ?107  ? 8.27 ?10?8 s ? 8.27 ?10?13 s 补充题 1 分别计算 Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度 （提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图 1 所示： （a）(100)晶面 （b）(110)晶面 （c）(111)晶面 补充题 2 一维晶体的电子能带可写为 E（k ) ?  ?2 ma 2  ( 7 ? cos ka ? 1 cos 2ka)， 8 8 式中 a 为 晶格常数，试求 布里渊区边界； 能带宽度； 电子在波矢 k 状态时的速度； 能带底部电子的有效质量m * ； n 能带顶部空穴的有效质量m * p dE(k ) 解：（1）由 ? 0 得 k ? n? （n=0， dk a 1， 2…） 进一步分析k ? (2n ? 1) ? a  ，E（k）有极大值， E（k )  MAX ? ? 2?2 ma 2 k ? 2n 时，E（k）有极小值 a ? 所以布里渊区边界为k ? (2n ? 1) a (2)能带宽度为 E（k )  MAX E(k )  MIN ? 2?2 ma 2 1 dE ??1 (3）电子在波矢k 状态的速度v ? 电子的有效质量 ?2 m ? dk ? (sin ka ? ma sin 2ka) 4 m* ? n ? d 2 E 1(cos ka ? cos 2ka d 2 E 1 dk 2 2 2n? 能带底部 k ? a 所以m* n ? 2m (5)能带顶部 k ? (2n ? 1)? ， a 且 m* p ? ?m* ， n 2m 所以能带顶部空穴的有效质量m* ? p 3 半导体物理第 2 章习题 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？ 答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。 理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。 理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。 以 As 掺入 Ge 中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和 n 型半导体。 As 有 5 个价电子，其中的四个价电子与周围的四个Ge 原子形成共价键，还剩余一个电子，同时 As 原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以， 一个 As 原子取代一个 Ge 原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子. 多余的电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱