半导体物理习题及解答.docx

半导体物理习题及解答 半导体物理习题及解答 第一篇 习题 半导体中得电子状态 、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发得载流子越多，为什么？试定性说明之。 、 试定性说明 Ge、Si 得禁带宽度具有负温度系数得原因。 、 试指出空穴得主要特征。 、简述 Ge、Si 与 GaAS 得能带结构得主要特征。 、某一维晶体得电子能带为 E(k ) ? E ?1 ? 0.1cos(ka) ? 0.3sin(ka)? 0 其中 E0=3eV，晶格常数 a=5х10-11m。求： 能带宽度； 能带底与能带顶得有效质量。 第一篇 题解 半导体中得电子状态刘诺 编 、 解：在一定温度下，价带电子获得足够得能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子得过程就就是本征激发。其结果就是在半导体中出现成对得电子 -空穴对。 如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需得能量变小，将会有更多得电子被激发到导带中。 、 解：电子得共有化运动导致孤立原子得能级形成能带，即允带与禁带。温度升高，则电子得共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间得禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。 因此，Ge、Si 得禁带宽度具有负温度系数。 、 解： 空穴就是未被电子占据得空量子态，被用来描述半满带中得大量电子得集体运动状态，就是准粒子。主要特征如下： A、荷正电：+q； B、空穴浓度表示为 p（电子浓度表示为 n）； C、EP=-En D、mP*=-mn*。1-4、 解： Ge、Si: a）Eg (Si：0K) = 1、21eV；Eg (Ge：0K) = 1、170eV； b）间接能隙结构 c）禁带宽度 Eg 随温度增加而减小； GaAs： a）Eg（300K） 第二篇 习题-半导体中得杂质与缺陷能级刘诺 编 、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之， 并用能带图表征出 n 型半导体。 、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之， 并用能带图表征出 p 型半导体。 、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体得导电性能得影响。 、两性杂质与其它杂质有何异同？ 、深能级杂质与浅能级杂质对半导体有何影响？ 、何谓杂质补偿？杂质补偿得意义何在？ 第二篇 题解 半导体中得杂质与缺陷能级刘诺 编 、解：浅能级杂质就是指其杂质电离能远小于本征半导体得禁带宽度得杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）得离子， 并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。 、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。 施主电离成为带正电离子（中心）得过程就叫施主电离。 半导体物理习题及解答 施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在 Si 中掺 P，P 为Ⅴ族元素， 本征半导体 Si 为Ⅳ族元素，P 掺入 Si 中后，P 得最外层电子有四个与 Si 得最外层四个电子配对成为共价电子，而 P 得第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实得束缚进入导带成为自由电子。这个过程就就是施主电离。 n 型半导体得能带图如图所示：其费米能级位于禁带上方 、解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电得离子，并同时向价带提供空穴，这种杂质就叫受主。 受主电离成为带负电得离子（中心）得过程就叫受主电离。受主电离前带不带电，电离后带负电。 例如，在 Si 中掺 B，B 为Ⅲ族元素，而本征半导体 Si 为Ⅳ族元素，P 掺入 B 中后，B 得最外层三个电子与 Si 得最外层四个电子配对成为共价电子， 而 B 倾向于接受一个由价带热激发得电子。这个过程就就是受主电离。 p 型半导体得能带图如图所示：其费米能级位于禁带下方 、解：在纯净得半导体中掺入杂质后，可以控制半导体得导电特性。掺杂半导体又分为 n 型半导体与 p 型半导体。 例如，在常温情况下，本征 Si 中得电子浓度与空穴浓度均为 1、5╳1010cm-3。 半导体物理习题及解答 当在 Si 中掺入 1、0╳1016cm-3 后，半导体中得电子浓度将变为 1、0╳1016cm-3， 而空穴浓度将近似为 2、25╳104cm-3。半导体中得多数载流子就是电子，而少数载流子就是空穴。 、解：两性杂质就是指在半导体中既可作施主又可作受主得杂质。如Ⅲ -Ⅴ 族 GaAs 中掺Ⅳ族 Si。如果 Si 替位Ⅲ族 As，则 Si 为施主；如果 Si 替位Ⅴ族 Ga， 则 Si 为受主。所掺入得杂质具体就是起施主还就是受主与工艺有关。 、解：深能级杂质在半导体中起复合中心或陷阱得作用。浅能级杂质在半导体中起施主或受主得作用。 、当半导体中既有施主又有受主时，施主与受主将先互相抵消，剩余得杂质