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- 2023-06-20 发布于四川
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本发明提供了一种高线性跨导电路,包括:差分输入级电路,将输入电压信号转换成电流信号;IM2注入电路,用于实现IM2的直流耦合注入;包括第一PMOS晶体管M4、第二PMOS晶体管M5、第三PMOS晶体管M7和第一电阻R1,反馈回路,用于形成负反馈,包括第四PMOS晶体管M6、第五PMOS晶体管M8、第二电阻R2、和运算放大器OP。本发明采用IM2直流注入,从而使得双Tone的频率间隔可以拓展到直流附近,并且IM2的注入位置从尾电流管的栅极变成共栅输入差分对管的栅极,IM3项抵消效果明显提升,极大改
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113328710 A
(43)申请公布日 2021.08.31
(21)申请号 202110652595.9
(22)申请日 2021.06.11
(71)申请人 上海川土微电子有限公司
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