三维设计2024高三物理总复习 第45课时 电容器 带电粒子在电场中的运动 [双基落实课].pptxVIP

第45课时　电容器　带电粒子在电场中的运动　[双基落实课] 目录CONTENT立足“四层”·夯基础着眼“四翼”·探考点聚焦“素养”·提能力020301 Part 01立足“四层”·夯基础 ? ?目前智能手机普遍采用了电容触摸屏，它是一块四层复合玻璃屏，玻璃屏的内表面和夹层各涂一层ITO（纳米铟锡金属氧化物），夹层ITO涂层作为工作面，四个角引出四个电极，当用户手指触摸电容触摸屏时，手指和工作面形成一个电容器，因为工作面上接有高频信号，电流通过这个电容器分别从屏的四个角上的电极中流出，且理论上流经四个电极的电流与手指到四个角的距离成比例，控制器通过对四个电流比例的精密计算来确定手指位置，假设电容器为平行板电容器。判断下列说法的正误。 （1）电容触摸屏只需要触摸，不需要压力即能产生位置信号。 （　√　）（2）使用绝缘笔在电容触摸屏上也能进行触控操作。 （　×　）（3）手指压力变大时，由于手指与屏的夹层工作面距离变小，电容变小。 （　×　）（4）手指与屏的接触面积变大时，电容变大。 （　√　）√××√ Part 02着眼“四翼”·探考点 ?　　　　　考点一　平行板电容器的动态分析　[素养自修类] 　　1.[Q不变时的动态分析]（多选）如图，一平行板电容器充电后与电源断开，负极板接地，C表示电容器的电容，U表示正负极板间的电势差，Q表示电容器所带的电荷量，E表示两板间的电场强度。正极板保持不动，将负极板缓慢向左平移一小段距离l0，则图中关于各物理量与负极板移动距离x的关系图像中正确的是（　　） ? 2.[U不变时的动态分析]（多选）两个较大的平行金属板A、B相距为d，分别接在电压为U的电源正、负极上，这时质量为m的带电油滴恰好静止在两板之间，如图所示，在其他条件不变的情况下，那么在下列的过程中（　　）A.如果保持连接电源，将两板距离不变，非常缓慢地错开一些，电流计中电流从b流向aB.如果保持连接电源，将A板上移，油滴将向上加速运动C.如果断开电源，A板上移，B板接地，油滴将静止不动，油滴处电势不变D.如果断开电源，两板间接静电计，B板下移，静电计指针张角变大 ?断开电源，两板间接静电计，B板下移，电场强度不变，则两极板电势差变大，静电计指针张角变大，故D正确。 （1）U不变的情形（如图甲所示） 如果平行板电容器充电后始终连接在电源上，两极板间的电势差U就保持不变。????　关于平行板电容器动态分析的两类典型问题 （2）Q不变的情形（如图乙所示）若平行板电容器充电后切断与电源的连接，电容器的电荷量Q就保持不变。??? 考点二　带电粒子在电场中的直线运动　[互动共研类] 　　1.带电粒子（体）在电场中运动时重力的处理基本粒子如电子、质子、α粒子、离子等，除有说明或明确的暗示以外，一般都不考虑重力（但并不忽略质量）带电体如液滴、油滴、尘埃、小球等，除有说明或有明确的暗示以外，一般都不能忽略重力 2.带电粒子（体）在电场中直线运动的分析方法 【典例1】　多反射飞行时间质谱仪是一种测量离子质量的新型实验仪器，其基本原理如图所示，从离子源A处飘出的离子初速度不计，经电压为U的匀强电场加速后射入质量分析器。质量分析器由两个反射区和长为l的漂移管（无场区域）构成，开始时反射区1、2均未加电场，当离子第一次进入漂移管时，两反射区开始加上电场强度大小相等、方向相反的匀强电场，其电场强度足够大，使得进入反射区的离子能够反射回漂移管。离子在质量分析器中经多次往复即将进入反射区2时，撤去反射区的电场，离子打在荧光屏B上被探测到，可测得离子从A到B的总飞行时间。设实验所用离子的电荷量均为q，不计离子重力。 （1）求质量为m的离子第一次通过漂移管所用的时间T1；??（2）反射区加上电场，电场强度大小为E，求离子能进入反射区的最大距离x；?? （3）已知质量为m0的离子总飞行时间为t0，待测离子的总飞行时间为t1，两种离子在质量分析器中反射相同次数，求待测离子质量m1。? ?? ?1.[仅在电场力作用下的直线运动]如图所示，一充电后的平行板电容器的两极板相距l，在正极板附近有一质量为m、电荷量为q1（q1＞0）的粒子A；在负极板附近有一质量也为m、电荷量为－q2（q2＞0）的粒子B，仅在电场力的作用下两粒子同时从静止开始运动。?A.电荷量q1与q2的比值为3∶7B.电荷量q1与q2的比值为3∶4C.粒子A、B通过平面Q时的速度之比为9∶16D.粒子A、B通过平面Q时的速度之比为3∶7 ? 2.[在电场力和重力作用下的直线运动]如图所示，倾斜放置的平行板电容器两极板与水平面夹角为θ，极板间距为d，带负电的微粒质量为m、带电荷量为q，从极板M的左边缘A处以初速度v0水平射入，沿直线运动并从极板N的右边缘B处射出，则（　　）B.微粒的加速度大小等于gsin θ ? 考