纳米技术无机纳米合成与制备.pptxVIP

纳米技术无机纳米合成与制备;一维纳米材料是指直径在1 ~ 100 nm之间，而轴向长度可以达到微米量级的线性纳米材料[2]，如纳米线、纳米管、纳米棒以及近年来大量报道的纳米带等。 ; 早期的一维纳米材料制备技术多采用“印刷板”技术，包括电子束（e-beam）或聚焦离子束（FIB）刻蚀、探针刻写、X射线曝光术等。这些技术存在着加工成本高、产量低的缺点，而基于化学合成的制备技术的研究在分散性、纯度以及成本上都具有很大的优势，正在成为一维纳米材料研究的活跃领域。形貌尺寸可控、化学组成可调、高纯度的一维纳米材料制备方法是许多研究小组孜孜以求的目标。 ;化学方法合成一维纳米材料 ;气相生长;Cu新鲜表面快速升温到400 ~ 700℃ CuO纳米线 ;CVD;第8页/共63页;P.D.Yang Science 2001, 292, 1897.;V-L-S（气－固－液）理论;GaN nanowire;CVD ;第13页/共63页;(1) 改变加热温度以及收集温区。不同温度区域内，产物的蒸气压是不同的，即过饱和度不同。 (2) 改变反应物组成。在制备MgO纳米线实验中，目前已报道的反应物有MgO、Mg 、MgB2等。当采用不含O的反应物时，含氧的反应容器是形成氧化物的主要原因。此外也可以用水蒸气作为氧源。在反应物前端放置固体S粉末，利用加热产生的S蒸气与反应物反应，还可以得到硫化物的纳米材料。 (3) 改变反应体系的压力和载气流量。其目的仍然是改变各区域的蒸气压，从而来调节化合物的沉降速度。;气相一维控制生长是目前研究最多的，也是最成熟的一维纳米材料的制备方法。但受前驱体的影响，利用此方法难以得到三元组分化合物以及掺杂化合物。同时，沉积在基底上的纳米材料基本上是杂乱无章的，只能用刻蚀的方法预先获得图案状的基底，随后沉积得到广义上的非单分散的阵列。随着刻蚀技术的发展，人们逐渐实现了单根纳米管/线的CVD可控生长。;模板生长 ;带有台阶的基底为模板;贵金属（Pd、Cu、 Ag、Au）金属氧化物（MoO2、MnO2、Cu2O、Fe2O3） ;准直孔道的多孔化合物为模板;介孔分子筛类;nickel nanowires inside channels of SAB-15;D. Y. Zhao, Adv. Mater. 2003, 15, 1370 ;聚合碳酸酯类;阳极氧化铝类;基于这些模板的制备方法有：电化学沉积、化学气相沉积、溶???-凝胶法等 ;Bi2Te3 nanowire array/ template composites.;D. Crouse, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 49 ;化学气相沉积;溶胶-凝胶法;一维纳米材料模板;Mg (vapor) + B nanowires;P. D. Yang, Nature, 2003, 422, 599 ;Y. N. Xia, Nano Lett. 2002, 2, 481 ;生物模板 ; 选择生物分子做模板，并不仅仅是因为它比较容易得到小尺寸的纳米线，还可以利用生物分子本身所具有的选择性，来实现在特定表面的组装，以及制备完整的纳米阵列。现代的生物化学技术比较发达，特定病毒分子的基因突变容易发生，这意味着生物模板可以在很大程度上满足人们的需要，得到多种形貌、多种尺寸的纳米材料。 ; 模板法使得纳米材料的生长可以按照人们的意愿来进行，产物基本涵盖了目前可制备的一维纳米材料。一些辅助手段保证了产物的结构完整性和形貌可控性，并且很容易获得良好的纳米阵列。但它的缺点也比较突出：首先是模板与产物的分离比较麻烦，很容易对纳米管/线造成损伤；其次，模板的结构一般只是在很小的范围内是有序的，很难在大范围内改变，这就使纳米材料的尺寸不能随意地改变；第三，模板的使用造成了对反应条件的限制，为了迁就模板的适用范围，将不可避免地对产物的应用造成影响。 ;液相生长 ;Te在水溶液中倾向于聚合形成螺旋状的长链，它们按照某一方向上的聚合是能量有利的。H2TeO3酸还原以后所得到的胶体颗粒在长时间内会逐渐转变为单晶纳米线;Y. Xia, Adv. Mater. 2002, 14, 1749 ;水热法 (溶剂热法 );MnO2 Nanostructures;聚乙烯醇体系 ;“软模板”技术;液相合成的优点是非常突出的，例如产物尺寸分布均匀，成分单一等；并且产物在液相中分散均匀，对下一步实现自组装非常有利。但受液相中各向生长同性的限制，需要特殊的方法来控制产物的形貌，因此其过程及后处理都比较麻烦。这也限制了液相合成一维纳米材料的使用范围。 ;组装生长;模板结构内的组装;Self-assembly of spherical colloids in V-shaped grooves.;Porous