半导体器件物理与工艺资料.pptxVIP

半导体器件物理与工艺资料第1页/共56页 引 言2.晶体管的发明理论推动19世纪末20世纪初发现半导体的三个重要物理效应：光电导效应、光生伏特效应、整流效应量子力学和材料科学的发展。需求牵引：二战期间雷达等武器的需求。1.什么是晶体管？ 晶体管（Transistor）是转换电阻（Transfer resistor）的缩写，是一个多重结的半导体器件。通常与其他电路整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益。第2页/共56页 33. 双极型晶体管 (Bipolar transistor) 也称双极型结晶体管（Bipolar junction transistor, BJT）,是Bell Lab.于1947年发明的； 是由靠的很近的两个PN结构成的半导体器件； 电子和空穴二种极性载流子同时参与输运的具有电流和功率放大能力的三端半导体器件，也称双极性载流子晶体管。 在高速电路、模拟电路、功率放大等方面具有广泛的应用。　　 双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管。第3页/共56页 1947年12月23日：第一只点接触晶体管诞生（Bell Lab. -- Bardeen、Shockley、Brattain），意义重大。1949年：提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley)1951年：制造出第一只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley) ；1956年：制造出第一只硅结型晶体管--美德州仪器公司（TI）；  Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖；1956年：中国制造出第一只锗结型晶体管 -（吉林大学）；1970年：硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大批量生产；现代双极型晶体管，由Si取代Ge衬底，由耦合PN结代替点接触。4. 发展历史第4页/共56页 晶体管的三位发明人：巴丁、肖克莱、布拉顿第一个点接触式的NPN Ge晶体管 (transistor)Bardeen, Brattain, and Schockley获1956年诺贝尔物理奖第5页/共56页 6按功能--- 高频晶体管、低频晶体管、大功率晶体管、小功率晶体管、开关晶体管、低噪声晶体管，等。5. 分 类按材料— Ge晶体管、 Si晶体管、GaAs、SiGe晶体管等。按能带结构— 同质结晶体管(bipolar junction transistor ，BJT)，一般称其为晶体管。异质pn结晶体管(HBT)，简称异质结晶体管。异质结晶体管具有更优良的电学特性。 为了得到性能优良的晶体管，必须保证管内结构： ①.发射区相对基区要重掺杂； ②.基区要很窄（2微米以下）； ③.集电结面积要大于发射结面积。第6页/共56页 5.1 晶体管的工作原理p-n-p双极型硅晶体管透视图1.晶体管的基本结构P型半导体衬底热扩散工艺第7页/共56页 8A.热扩散工艺技术缓变基区晶体管(漂移(型)晶体管 )均匀基区晶体管(扩散(型)晶体管) B. CVD技术N+N-p第8页/共56页 (a) 理想一维p-n-p双极型晶体管(b) p-n-p双极型晶体管的电路符号2.晶体管的类型p-n-p晶体管第9页/共56页 10(c) 理想一维n-p-n双极型晶体管(d) n-p-n双极型晶体管的电路符号n-p-n晶体管第10页/共56页 5.1.1 工作在放大模式热平衡状态下理想p-n-p双极型晶体管NENBNC所有端点接地的p-n-p晶体管、杂质浓度分布、电场分布和能带图第11页/共56页 工作在放大模式下p-n-p双极型晶体管(共基极组态放大器)p-n-p晶体管工作在放大模式的杂质浓度分布、电场分布和能带图共基极组态: 基极被输入和输出电路所共用。 设：发射结正偏，集电结反偏，基区宽度wbLnb。第12页/共56页 E13在理想的二极管中，忽略耗尽区中的产生-复合电流:IE：发射区到基区的空穴+基区到发射区的电子IC: 反向饱和电流当WL时，IC→IEWp-n-p晶体管工作在放大模式的能带图“发射极”“集电极”第13页/共56页 14晶体管的放大作用：由邻近的射基结注射过来的载流子在反向偏压的集基结造成大电流→交互p-n结。5.1.2 电流增益假设耗尽区中无产生-复合电流，则晶体管各端点的电流可表示为：IE = IEP + IEnIC = ICP + ICnIB = IE – IC 第14页/共56页 15??所以，α0 =γαT注：对设计良好的晶体管，IEpIEn，IEp与ICp非常接近，αT和γ接近于1，所以α0也接近于1.第15页/共56页 16? 其中，ICn是当发射极断路时(IE=0)集电极间的电流，记I