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一种压接型功率半导体结构及其内部压力在线测量方法.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种压接型功率半导体结构及其内部压力在线测量方法.pdf

    本发明涉及一种压接型功率半导体结构及其内部压力在线测量方法，属于功率半导体器件领域。该结构包括外壳和多个并列子单元；子单元包括顶板、柔性组件、银片、钼片、芯片和基板；柔性组件包括碟簧组和导电铜片，导电铜片的中间设有薄铜片；薄铜片的侧表面开设有沟槽，沟槽内安装有光纤应变计和光纤温度计，其中光纤温度计用于光纤应变计的温度补偿。本发明实现了压接型功率半导体模块内部压力的实时测量，测量灵敏度高。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113834527 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202111110073.2 (22)申请日 2021.09.18 (71)申请人 重庆大学 地址 40

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