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电子技术填空题
1.硅二极管导通时的正向压降为______。
2 .放大电路的失真分______ ﹑ ____两种。
3.三极管的直流电流放大倍数随着温度的升高而______。
4.已知某处于放大状态的三极管集电极电流为2mA,发射极电流为2.02mA,则该三极管的电流放大系数为______.
5.射极输出器的电压放大倍数近似等于______.
6.图示电路中,已知,则______V.
7.组合逻辑电路当前的输出状态与原来状态无关,仅由______的组合状态来决定。
8.硅二极管的死区电压约为__________V。
9.图示为某放大电路的直流通路,IB为0.03mA,三极管的β为50,管压降UCE为_________V。
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.10 已知门电路的输入端A、B、C及输出端F的波形如图所示,则F的逻辑表达式为_________。
11.用万用表的欧姆档测量二极管的正向电阻时,不同量程测得的电阻值_________。
12.集成运算放大器的输入部分通常是由_________放大电路组成的。
13.二进制数加法1+1=_________。
14.某晶体管电路中,已测得基极电流为10μA,发射极电流为
1.01mA,该三极管的电流放大倍数β为___________。
15.题图所示电路的输出电压uo与输入电压ui的关系式为
___________,平衡电阻Rb=_____
16二进制数1001转换成十进制数=___________。
17.射极输出器的特点之一是输出电阻________。
18.为使运算放大器工作在线性区,必须引入________反馈。
19.逻辑电路如图所示,当输入端ABC为11l时,
输出端F为逻辑________。
20. 稳压二极管是工作于________。
21. 三极管的发射结正向压降随温度的升高而________。
22.三极管的某一条输出特性曲线是指当___________为一定值时IC与
UCE的关系曲线。
23.一处在放大状态的三极管及其三个极的电流如示意图所示,
则此三极管的等于___________.
24.图示放大电路中,静态电流IC=2mA时,耦合电容C2上的直流压降等于___________.
25.分立元件门电路如图所示,输入端A=B=“1”、C端悬空,输出端F的逻辑状态是
26.要使三极管可靠的饱和导通,其基极电流IB应大于_________.
27.锗二极管导通时的正向压降为______。
28.如果放大电路的静态基极电流太小,将产生______失真。
29.射极输出器具有输入电阻高及输出电阻______的特点。
30 .造成固定偏置电压放大电路静态工作点不稳定的主要原因是________.
31.某放大电路在负载开路时,输出4V电压;接入1kΩ负载后,其输出电压降为2V,则放大电路的输出电阻为________.
32.已知逻辑门电路的输入端A、B、C及输出端F的波形如图所示,F的逻辑函数表达式应为________.
33.图示逻辑电路,当A端加一正脉冲时,触发器状态为________.
34 .半导体内的载流子越多,导电能力越________。
35.三极管的静态工作点过低,将使输出电压出现________失真。
36.单相桥式整流电路中,流过负载的平均电流为5A,则流过每个二极管的平均电流为________A。
30.题30图所示电路中,输入A与输出F的逻辑关系式为________。
31 . 整流是利用二极管的 特性。
32. 图示运算放大电路的输出电压
u0= V.
33. 基本R—S触发器的两个输入端都接高电平时,
触发器的状态为 。
34. 三极管非门电路如图所示,
图中二极管V的作用是 。
35 .根据三极管结构的不同,有NPN和____________两种。
36.集成稳压器CW7815,其输出端与接“地”端的输出电压为____________。
37.PN结的基本特性是____________。
38 .N型半导体中多数载流子是_____________。
39.理想集成运算放大器同相输入端接地时,
则称反相输入端为_____________端。
40.门电路如图所示,当输入端A=1、B=1、
C=0时,输出端F应为_____________。
41 .PN结加反向电压时,其空间电荷区将______,使______运动占优势。
42理想运算放大器的开环电压放大倍数Au0的数值为______,差模输入电阻阻值为______。
43.逻辑图和输入A,B的波形如图所示,分析在t1时刻输出F=______,在t2时刻F=______。
44 .不加滤波器的由理想二极管组
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