微电子工艺生产实习报告.doc

本次微电子工艺生产实习开始于2013年2月25日，历时三周，于2013年3月15日圆满结束。在本次实习中，预定依次完成以下任务：清洗硅片、一次氧化、光刻基区、硼扩、光刻发射区、磷扩、光刻引线孔、反刻铝、合金化、中测、划片、上架烧结、压焊、封帽及成测等工艺。但由于实验室空间有限且人员过多，所以我所在的第二大组第6小组完成了其中的一氧、光刻基区、光刻发射区、磷扩、镀铝、压焊、封帽、成测等单项工艺。在实习的最后两天还参观了哈尔滨晶体管厂。 硅片清洗 购买回来的硅片表面会有封蜡、有机磨料、氧化物磨料等污染，为后续步骤不受污染影响，需在进行各道工序之前进行清洗。用每一种清洗剂擦拭的时候都应该先擦背面，后擦正面，因为需将硅片放置在平面上进行擦拭，若先擦拭正面，擦拭背面的时候正面会再次被污染。在一氧前尤其应特殊进行去油操作，原因是油膜会将硅片与水汽隔离开，无法进行湿氧氧化。去油所用化学试剂顺序不可颠倒，因为甲苯、丙酮、乙醇对有机物的溶解能力依次下降，自身溶解能力的顺序则为：甲苯能溶于丙酮，难溶于乙醇，丙酮能溶于乙醇而难溶于水，乙醇能溶于水。在清洗的过程中若需用水，则应使用高纯度去离子水，标准为大于10M（以电阻率计），若去离子水的纯度较低，则其中的钠离子在氧化时会进入二氧化硅层，造成PN结漏电、MOS器件阈值电压不稳等不良后果。 一氧 一氧采用干氧-湿氧-干氧交替方法，原因是干氧生长的氧化膜致密，针孔少，但速率太慢；湿氧生长的氧化膜疏松，针孔可能较多，表面潮湿，在光刻时容易浮胶，但生长速率快，可快速增加氧化层厚度。湿氧氧化层厚度还与氧气的水浴温度有关，且温度越高生长速率越快，相同时间内氧化膜生长厚度越厚。因为氧化是在Si-SiO2界面发生，携带水汽的氧气先溶解到已生成的二氧化硅层中，然后在高温下向Si-SiO2界面扩散并进行化学反应，而温度越高水汽在二氧化硅中的溶解度更高，向内部扩散速度越快。在氧化过程中应采取穿超净服等措施严格避免钠离子的污染，若实在无法避免掺入了钠离子，则应适当进行掺氯氧化，目的是将不慎掺入的钠离子固定在一定区域内，降低其电活性。若氧化层太薄或针孔密度过大及发生其他严重玷污，则氧化层的掩蔽作用将被大大减弱，在后续的硼扩或磷扩过程中将无法阻挡杂质进入硅衬底，从而破坏了定向定量掺杂的要求。在将硅片推入或拉出高温氧化炉时都应缓慢进行，以防止硅片及石英舟（石英的东西都好贵好脆啊）产生热应力甚至炸裂。氧化层厚度不同，其在白光下干涉色彩也不同，用经验的工人或老师都是通过干涉色彩及氧化时间大致估计氧化层厚度（好厉害）。 光刻基区 光刻基区的大致工艺步骤：预烘—甩胶—前烘—曝光—显影、定影—去胶。其中预烘是为了去除Si片表面氧化层中残留的水汽，避免在涂胶是产生浮胶等不良状况。光刻胶的厚度由甩胶时间及机器的转速决定，转速控制在3千转每分钟（和后面划片机器上刀具的转速相比弱爆了）。涂胶后进行前烘，可去除光刻胶中80%~90%的有机溶剂。经过曝光（本次实习使用接触式紫外线曝光）之后光刻胶上以出现肉眼不可见的潜像。经过显影、定影之后就可以看到和掩膜板上相对应的图像了。此时应镜检胶膜图形，若不合要求应去胶重做；符合要求的即可进行腐蚀二氧化硅，露出基区表面。最后将光刻胶去除，光刻基区流程完毕 硼扩 硼扩采用两步扩散工艺：预淀积，再分布。预淀积采用恒定源扩散，温度较低，目的是向硅片中掺入一定量的杂质，再分布采用限定源扩散的方法使预淀积使掺入的杂质在高温下想Si片内部扩散，从而得到一定的浓度分布及结深。本次实习使用固态BN陶瓷源，因此需在预淀积之前进行硼源活化，化学方程式为： BN+O2 B2O3+NOX 在硼扩时会发生反应： B2O3+Si B+SiO2（B） 即反应会产生副产物硼硅玻璃。硼硅玻璃中仍残留硼杂质，在后续的再分布中仍会向Si片内部扩散，从而改变预定的杂质表面浓度Ns。因此，需在预淀积与再分布之间应加入一步漂洗硼硅玻璃的操作，即将进行完预淀积的硅片冷却后在HF腐蚀液中进行涮洗。因硼硅玻璃亲水而二氧化硅疏水，所以在漂洗过程中当硅片背面不挂水时则说明硼硅玻璃已漂洗干净，应停止涮洗，避免造成过腐蚀。漂洗硼硅玻璃之后应对陪片进行方块电阻的测量以调整预淀积时间直至满足设计要求，然后再以该种工艺对正片进行预淀积。若陪片方块电阻偏高，则应进行慢氧化，增加干氧氧化时间；反之，若方块电阻偏低，则应进行快氧化，相应的增加湿氧氧化的时间从而调节Si片表面硼的浓度到设计水平。 光刻发射区 光刻发射区是第二次光刻，与第一次操作大体相同。不同之处是，在此次及以后的光刻之前都要利用第一次光刻时刻出的对版标记进行对版，以免光刻位置发生偏差。（不幸的是在我所在的小组即将进行光刻发射区的时候突然被告知光刻室内的通风装置出现故障，而