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;;金属及金属性材料在芯片上的应用被称为金属化，形成的整个金属及金属性材料结构称金属化系统。
金属化材料可分为三类：;集成电路对互连布线有以下要求：
布线材料有低的电阻率和良好的稳定性；布线应具有强的抗电迁移能力；
布线材料易于淀积成膜，粘附性要好，台阶覆盖要好，并有良好的可焊性。布线材料可被精细刻蚀，并具有抗环境侵蚀的能力；;铝的应用;1. 电迁移现象;电迁移效应解决方法（一）;电迁移效应解决方法（续）
采用适当工艺淀积Al膜 EB蒸镀的Al的晶粒的优选晶向为（111），比溅射Al薄膜MTF大2-3倍。；
Al-Cu(Al-Si-Cu)合金；加入1-2％ Si和4％Cu，这些杂质在铝的晶粒间界分凝，可降低铝原子在晶粒间界的扩散系数，使MTF值提高一个量级。
三层夹心结构：在两层铝薄膜之间增加一个约500?的过渡金属层 (如Ti，Hf，Cr或Ta等);尖楔现象;2. 稳定性
硅在铝中具有一???的固溶度，若芯片局部形成“热点”，硅会溶解进入铝层中，致使硅片表面产生蚀坑，进而出现尖楔现象，造成浅结穿通。;(a) Al/TiN/CoSi2多层欧姆接触;一、 概述;;;集成电路中的隔离;pn结隔离特点、用途;;场区隔离;场区隔离方法----局部氧化（ LOCOS, Local Oxidation of Silicon ）;P-Si局部氧化隔离（LOCOS工艺）;鸟嘴现象;侧墙掩蔽隔离工艺;浅槽隔离shallow trench isolation, STI;深槽隔离(Deep trench isolation, DTI);介质隔离 Dielectric isolation
器件隔离的理想方法是将每个器件都完全包在绝缘材料中--- SOI技术;一、 概述;;;;CMOS反相器电路;形成N阱;形成P阱;推阱;形成场隔离区;形成多晶硅栅;形成N、P管源漏区;形成硅化物;形成接触孔;形成钨塞;形成第一层金属;形成穿通接触孔;形成第二层金属;形成钝化层;测试、封装完成集成电路的制造工艺;一、 概述;;;双极型集成电路;制作埋层;生长n型外延层;形成横向氧化物隔离区;形成横向氧化物隔离区;形成横向氧化物隔离区;形成基区
基区硼离子注入;形成接触孔;形成发射区;金属化;合金;形成钝化层;一、 概述
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