SJ_T 11199-2016压电石英晶体片.pdf

ICS 31.140L21SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T11199—2016代替SJ/T11199—1999压电石英晶体片Piezoelectric quartz crystal blank2016-06-01实施2016-01-15发布发布中华人民共和国工业和信息化部 福 SJ/T11199—2016言前 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准代替SJ/T11199—1999《压电石英晶体片》，与SJ/T11199—1999相比，主要技术变化如下：石英晶体毛片改称为石英晶体毛坏片（见3.1，1999年版的3.1）；石英晶体厚度片增加对应词（见3.2，1999年版的3.2）；增加石英晶体方片的术语和定义（见3.3）-石英晶体频率片改称为石英晶体研片Ⅱ增力加网应（见3.4，1999年版的3.3）；完善石英晶体成品片定叉（见3.5，1999年版的）的3RM文，不再局限于仅适用SMD元器样见351，1999年版的3.5）；修改石英晶体条片的定义5w增加石英晶体圆和矩形片的术语和定义（见3.5.2和3.5见3增加边破边、破角裂纹和划痕的术语和定损增加石片平行度的来语箱是父（见3.5.11）；品体版的4.2删去对晶制造厂（见4.1，1999片破边长度小0.5mm，深度小0mm改为405mm，破角处深毛坏月5mm改为小或合同的角形缺损及破角度小天改为快锁的租数量应符合详细规规石英晶体表面“不应有明显处深度应小于0.5mm应有裂隙不“破边和石外A999的切割痕割痕迹见4.2.19年版的4.2.1）；改为“应无裂纹和目M改为小于1mm“弧形缺损的尺寸和厚度边长度小破角处深度缺损及破角深度应小0.5mm”；“破边和破数量应羊细规范角裂纹和划痕”（见刀痕”天角处不表面”：和L4.2.2,999年版的4.2.2）；增加方片的外观要求（见4.2.3）；图1（见4.2.4和4.2.5，1999研磨片和成品片的外观要求分条描述，成品片的外观缺陷增加年版的4.2.3）x向尺寸允差为士mm；Z向尺寸允差为±0.2mm，毛坏片长宽尺寸0.5mm改为为厚度允差为±0.015m或符合详细规范或合同的规定；×轴向平行度允差小于0.05mm改为同的规定”（见4.3.1）；“小于0.015mm或符合详细规范或-厚度片矩形片长宽尺寸允差为土0.03mm改为：X向尺寸允差为土0.1mm，Z向尺寸允差为土0.2mm；厚度允差为土0.01mm改为土0.005mm；增加方片的要求并增加图2；增加圆片倒缺口的轴向标识要求及缺口径向尺寸允差；增加厚度切变模式的石英晶体片不直接测量厚度而测量频率的选择（见4.3.2，1999年版的4.3.2）研磨片和成品片增加条片的尺寸允差，增加圆片倒缺口的轴向标识要求，矩形片长宽尺寸允差为±0.03mm改为0~-0.015mm；厚度允差为±0.01mm改为±0.005mm；增加厚度切变模式的石英晶体片不直接测量厚度而测量频率的选择（见4.3.3，1999年版的4.3.3）；晶片切角允差的Z轴角度允差五个级别为土0.5＇土1土2＇土3＇土5改为土15″，土30”，±45″，±1，±2（见4.4，1999年版的4.4）；-频率允差的要求增加石英晶体厚度片和方片（见4.5，1999年版的4.5）；-删去内部缺陷章条，籽晶和双晶合并到成品片的外观要求中（1999年版的4.6）；1 SJ/T11199—2016在灯光下目检改为“灯光下目检或规定倍数放大镜或显微镜检查”；增加有争议时的测量方法；增加“石英晶体片腐蚀后或抛光后在灯光下目检双晶和籽晶。”（见5.1，1999年版的5.1)；厚度测量的工具由千分尺改为数字千分尺；平行度的测量方法与厚度测量分别规定；增加方片倒角的测量方法，增加圆片倒缺口轴向的测量方法（见5.2，1999年版的5.2）；X射线定向仪的精度由0.5改为适用的精度（见5.3，1999年版的5.3）；测量频率允差的仪器只提出测量原理和电极形式（见5.4，1999年版的5.4）；删去内部缺陷（1999年版的5.5）；检验批“由同一时间提交的用同一批原料加工的石英晶体片构成”改为“同一时间提交的同-规格的石英晶体片构成”（见6.1，1999年版的6.1）；抽样方案改为由详细规范规定（见6.2，1999年版的6.2）；小包装的标志和合格证项目少量调整（见7.1，1999年版的7.1）。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会（SAC/TC182）归口。本标准起草单位：中国电子元件行业协会压电晶体分会，成都泰美克晶体技术有限公司，北京石晶光电科技股份有限公司，北京晨晶电子有限公司。本标准主要起草人：章怡，叶竹之，郭卫民，高为茂。本