SJT 10050-19913DA1722型晶体管详细规范.pdf

中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范3DA1722型硅NPN高频放大管壳SJ/T 10050-91额定的双极型晶体管Detail specification for electronic componentsCase rated bipolar transistorfor silicon NPN high-frequency amplification for type 3DA1722本标准适用于3DA1722型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB7576--87《高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的，符合GB4936.1-85《半导体分立器件总规范》1类的要求。中华人民共和国机械电于工业部1991-04-08批准1991-07-01实施1 SJ/T 10050-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的依据：SJ/T 10050-91GB 4936.1《半导体分立器件总规范》3DA1722型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管订货资料：见本规范第7章1机械说明2简略说明外形符合GB7581—87《半导体分立器件外形尺寸》中半导体材料：siF3-03A的要求。封装：塑封(非空腔)应用：彩电行推动H质量评定类别ts1类参考数据Plot=1.8W(Tamb=25C)Ptot = 12. 5W(Tease = 25 C)1c--0.2A0VcBo≥300VVcro≥300Vo.sVeno≥5Vhrg 50~300代号ft≥50MHZF3--03A符R尺寸minmax|符minnomnommax号号A3. 54. 82. 54eB2. 4F1.11.4B:1.8L12.514.5b0. 6Li3. 5dbi1. 2Lz6.3c0. 4$PD16.5Q2. 53.1D;5. 96.9Q12. 02.8E10.7]z3. 0出端识别：1.基极2.集电极3.发射极2 SJ/T 10050-914极限值（绝对最大额定值）值数条文号参数名称单位符号最小值最大值4.1工作管壳温度Tease- 55150c4. 2贮存温度℃Tstg-551504.3集电极—基极电压V300最大集电极基极直流电压Vco)4.4集电极发射极电压v300最大集电极发射极直流电压Veeo4.5发射极——基极电压v最大发射极基极直流电压5Ve8o4. 6最大直流集电极电流le200mA4.7功率耗散℃最高有效(等效)结温Ti1501. 8W功率耗散的绝对极限值Piot(Tanb= 25C)w12.5(Tcase m25 C)5电特性：（对检验要求）值数特性和条件条文号符号单位试验类别除非另有规定，Tcase=25℃最小值最大值5.1hrEA2b共发射极正向电流传输比静态值Vc = 10V; c = 0. 5mA色标蓝(B)50120紫(C)200100灰(D)300160.5. 3FT特征频率50MHzC2bVce=20V;l= 30mA,f10MHz5. 4截止电流IcHo (1)A2b集电极基极截止电流1μAVcB =-300V集电极一发射极截止电流Iceo5μAVcg = 300V发射极一基极截止电流Iewo1μAVea =- 5V5.5高温截止电流C2b集电极一基极截止电流IcB(2)5μAVc = 200V ;Tcase = 100℃VA35.6集电极一发射极饱炮和电压VcE(at)2.0Ic=50mA l=5mAVHEV基极-发射极电压0. 9.3- SJ/T 10050--91续表数值特性和条件条文号符号单位试验类别除非另有规定,Tcase25℃最小值最大值Vce -- 10V,lc = 50mA5. 9共基极输出电容Cob6.0pFC2aVcg-50V,Ig=0,f1MHZ5.11结一亮间的热阻Rth(j-c)10℃/wC2d6 标志6.1器件上的标志a.产品型号3DA1722;b.hre分档标志;c.质量评定类别标志，放在型号标志后面；d.制造厂商标e.检验批的识别代号。6.2包装盒上的标志a.重复器件上的标志；b.标上《怕湿》等注意标记。7定货资料定货单上应有下列内容a.准确的型号；b.hre分档色标；c.本规范编号d.其他。8试验条件和检验要求本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1、GB4937《半导体分立器件机械和气候试验方法》和GB4938《半导体分立器件接收和可靠性》的条文号，测试方法引自GB4936.1的6.1.1。 SJ/T 10050—91A组—-逐批全部试验都是非破坏性检验要求条件检验或试验引用标准值除非另有规定数单位ILAQLTcase 25 ℃最小值最大值1A1分组GB 4936.11 0.65外部目检5.1.1A2a分组不工作器件Icro(1)T-001Vcg=