SJ_T 2215-2015半导体光电耦合器测试方法.pdf

ICS 31. 080. 01L 50备案号：50542-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2215—2015代替 SJ 2215.1～2215.14—1982半导体光电耦合器测试方法 Measuring methods for semiconductor photocouplers2015-10～01实施2015-04-30发布发布SJ中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 2215—2015目次II前言1 范围.2规范性引用文件3术语和定义.t4 一般要求........ 64.1测试环境条件64.2测试系统及仪器设备75详细要求.5.1 正向电压（输入三极管）5.2正向电流（二极管）85.3反向电流（二极管）95.4反向击穿电压（二极管）.105.5结电容....105.6集电极-发射极击穿电压..115.7集电极--发射极饱和电压125.8输出截止电流.. 135.9电流传输比..155.10脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延迟时间、士升传输延迟时间...165.11隔离电容..175.12隔离电阻... 185.13隔离电压...195.14输出高电平电压.205.15输出低电平电压.215.16高电平电源电流.225.17低电平电源电流.235.18带宽.245.19传递系数..255.20非线性度，265.21 零位电压275.22通态直流电压，285.23断态直流电流....285.24维持电流295.25输入触发电流I SJ/T 2215—2015前言本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替了SJ/T2215.1～2215.14——1982《半导体光耦合器测试方法》，修订时结合了国内产品的具体情况，除编辑性修改外主要技术变化如下：增加了术语和定义（见第3章）；修改了测试环境条件（见4.1），增加了测量和试验用标准大气条件（见4.1.1）、仲裁测量和试验用标准大气条件（见4.1.2）；增加了对示波器的误差要求（见4.2.4）；一集电极一发射极反向击穿电压修改为集电极一发射极击穿电压（见5.6）；-输出饱和压降修改为集电极一发射极饱和电压（见5.7）；反向截止电流修改为输出截止电流（见5.8）；直流电流传输比修改为电流传输比（见5.9）；-脉冲上升、下降、延迟、贮存时间修改为脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延迟时间、上升传输延迟时间，增加了测量原理图，细化了测量步骤（见5.10）；一隔离电容测试细化了测量步骤（见5.11.3）；-隔离电阻测试细化了测量步骤（见5.12.3）；增加了输出高电平电压、输出低电平电压、高电平电源电流、低电平电源电流、带宽、快递系数、非线性度、零位电压、通态直流电压、断态直流电流、维持电流和输入触发电流的测试方法（分别见5.14，5.15，5.16，5.17，5.18，5.19，5.20，5.21，5.22，5.23，5.24和5.25）；一补充了测试方法的规定条件（见第5章），细化了测量步骤（见第5章）。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担这些专利的责任。本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十四研究所。本标准主要起草人：马思华、欧熠、陈春霞、李刚毅、徐道润。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：-SJ 2215.1~2215.14—1982II SJ/T 2215—2015半导体光电耦合器测试方法范围1本标准规定了半导体光电耦合器（以下简称“器件”）的测试方法。本标准适用丁半导体光电耦合器。规范性引用文件2下列文件对于本文件的应用是必不可少的。亢是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用本文件。GB/T2421.1-2008电工电子产品环境试验　概述和指南GB/T11499--2001：半导体分立器件文字符号第5部分：光电子器件5，半导体器件分立器件和集成电路GB/T 15651—1995福术语和定义3紫茶-=-GB/T114992001、GB/T-15651—-1995界定的以及下列术语定义和符号适用于本文件。831--:3. 13 正向电压：（输入二极管）forward voltageVF输入二极管的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。3. 2正向电流（二极管）forward currentIr在被测二极管两端加一定的正向电压时通过二极管的电流。3.3reverse current反向电流（二极管）IR在被测二极管两端加规定反向电压Vr时通过二极管的电流。3. 4反向击穿电压（二极管）reverse voltageVBR被测二极管的反向电流IR为规定值时，在其两极间所产生的电压降。1 SJ/T 22