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ICS 31.020L04SJ备案号:中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11707—2018硅通孔几何测量术语Terminology for through silicon via geometrical metrology2018-02-09发布2018-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部
SJ/T117072018前阅言本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任本标准由全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会归口。本标准主要起草单位:中国电子科技集团公司第五十五研究所、天水华天科技股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所HERORMATIONZ郁元ND、1本标准主要起草人:侯芳RTECHNOLOGL7CD
南
SJ/T11707--2018硅通孔几何测量术语1范围本标准规定了硅通孔尺寸的几何测量术语和定义。本标准适用于硅通孔尺寸的几何测量,其中硅通孔可完全贯穿硅晶圆,也可部分贯穿硅晶圆;硅通孔内可含有金属导体及其他介质,也可不包含金属导体及其他介质。玻璃通孔尺寸的几何测量也可参考SAININIONIINDUSTRYA2术语和定义2. 1硅通孔(TSrough silicomasTECI位于硅晶圆G月起始券孔或凹坑,其表面子可以硅道完全贯a)个晶圆深度,可部分贯穿整圆深度;为孔充金属导家b)真充金属导体;孔壁在导CHNOL导体与硅之c)静含层等,也可不色缘层、B4Y2. 2晶圆上面afer top suace硅通孔的初始位置即硅的司装定量该表面界晶圆水平正交线直方向。图1为位于晶圆面内硅通孔示意图,上的图2为位于晶圆孔剖面示意图。27RDSSNDA硅通孔晶圆表面硅通孔侧壁(图1晶圆表面的硅通孔示意图P
SJ/T117072018晶圆上表面硅通孔简深度贯穿深度晶圆下表面图2硅通孔剖面示意图2. 3晶圆下表面waferbottomsurface与晶圆上表面相背的晶圆表面,如图2所示。2. 4面积area硅通孔在特定水平面截面处的几何面积。图1中硅通孔的面积为深色覆盖部分的面积。2. 5顶部面积toparea硅通孔在晶圆上表面的面积。2. 6深度 depth从晶圆上表面垂直向晶圆下表面方向测量,位于晶圆上表面到硅通孔最深点的垂直距离,如图2所示。2. 7中间深度intermediatedepth晶圆上表面至某一选定层的距离,该距离小于硅通孔的深度,如图2所示。2.8贯穿深度fulldepthTSV硅通孔从晶圆上表面贯穿至晶圆下表面的深度,即晶圆上表面和晶圆下表面之间的垂直距离,如图2所示。2. 9孔径尺寸horizontal dimensions硅通孔孔径尺寸。注:本标准主要采用最大孔径和最小孔径(见2.12和2.14)来描述硅通孔在任一截面处的水平尺寸。其他标准可能采用硅通孔开口处的圆形直径或方形边长来描述该尺寸。2. 10中心 center硅通孔在任意水平面上的几何中心。2. 11弦 chord在指定水平面上,从硅通孔侧壁的一点到另一点的直线段,如图3所示。2
SJ/T11707--20182.12最大孔径majordiameter在任意选定水平面上硅通孔的最长弦。最大孔径的长度和硅通孔的面积之间无直接对应关系。图3给出了硅通孔最大孔径和最小孔径示意图,尺寸单位通常为微米。最大孔径的中心点最小孔径最大孔径SONTNOISTITION佳通孔硅通孔晶圆表雨TECHNOL意图图3硅通孔的最大孔径和最小孔轻52.13最大孔centerpointochemajor diameter通乳最位于硅通孔径上,百最大孔径两站2. 14 最小孔ordiam大孔径中穿过硅通孔8月最小孔径和砭通孔通礼最大孔径和最小孔径如图3所定相万垂直的面积之间无直接单位通堂2对应关系。其单量微米。2.15L顶部最大孔径top major diameterSL最大孔径。位于晶圆上表面的硅通孔IRD2.16DA底部最大孔径 bottommajordiaimeter位于晶圆下表面的硅通孔最大孔径注:使用该术语即表明该硅通孔的深度等于贯穿深度,该硅通孔贯穿整个晶圆上下表面。2.1790%深度的最大孔径90%depthmajordiameter位于硅通孔从上表面测量90%深度位置处的硅通孔最大孔径。2.18顶部最小孔径topminordiameter位于晶圆上表面的硅通孔最小孔径。2.19底部最小孔径bottom minor diameter位于晶圆下表面的硅通孔最小孔径。注:使用该术语即表明该硅通孔的深度等于贯穿深度,该硅通孔贯穿整个晶圆上下表面。3
SJ/T11707-20182. 2090%深度的最小孔径90%depthmin0rdiameter位于硅通孔
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