超精密表面化学机械抛光材料去除机理的研究进展.docxVIP

超精密表面化学机械抛光材料去除机理的研究进展 在电子行业中，有两个主要行业发挥着主导作用的作用：电子产品和计算机制造。它们相辅相成，相互作用，快速增长，显示出高水平和高性能的发展趋势，并对许多表面提出了前所未有的特殊要求。例如，计算机硬盘件的数量应为77.55155gb/cm。 1 用于电路ic制造的cmp 1.1 抛光质量对制造面的影响 硅衬底片CMP是获到高平整度、无缺陷和高反射表面的一个基本工艺过程, 抛光质量直接影响击穿特性、界面态和少子寿命, 对后续制造工艺质量起决定作用.早在1990年, Cook Graf等人 1.2 低介电常数材料可替代性 目前, 在ULSI中通常采用Si O 近年来, 因为低介电常数k材料良好的机械性能、热稳定性和热传导性能, 部分研究者已致力于低介电常数k材料代替Si O 1.3 cmp过程的机理 金属抛光机理与Si O Kaufman等人 近几年来, 在ULSI制造中出现W被Cu代替的趋势, 相应已有大量相关的Cu抛光机理的研究 可以发现, 上述Cu-CMP材料去除机理的研究仅涉及某一方面或几方面因素, 不能真实反映CMP过程.Gotkis等人 因为钽 (Ta) 在铜互连线IC制造中的较好阻挡效果, Ta的CMP机理已得到越来越多的研究.Ta的去除机理与其他金属材料类似, 主要表现为表面钝化层的形成和去除 2 表面粗糙度和表面粗糙度. 在计算