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sic耐磨材料制备方法的研究进展 碳化硅抗磨材料具有许多优异的性能，如高强度、高硬度（莫氏9.0.9.5）、高密度、高比模型、良好的高、低耐候性、高热量等。此外，它的热膨胀系数小（约4.7），抗冲击性好，在许多领域都有广泛的应用前景。例如，各种耐腐蚀机械密封、耐疲劳动衬底、耐腐蚀泵、耐腐蚀阀、热处理器等。但品种复杂或大型的高性能SiC耐磨产品,目前在国内尚属空白,国内仅能生产干压成型的小型简单制品;而国外已能够生产大型、异形件,以及各种密封件、高温窑具、热交换器等。另外,用低廉原料制造高性能SiC耐磨材料,除俄罗斯外,其他国家尚未有规模生产。因此,研究和应用规模化的SiC耐磨材料制备方法成为当务之急。 由于SiC为共价键结合,烧结时的扩散速率相当低,根据Hong等的研究,即使在2 100℃的高温下,Si和C的自扩散系数也仅分别为2.5×10-13、1.5×10-10cm2·s-1,所以,采取通常离子键结合材料所用的常压烧结途径很难制取高致密化的SiC材料,必须采用一些特殊的工艺手段或依靠第二相物质促进其烧结。目前,SiC耐磨材料的制备方法主要有无压烧结、热压烧结、反应烧结、高温等静压烧结、化学气相沉积以及多种方法相结合的制备方法等。 1 sic纳米复相陶瓷的生产 原料用亚微米级的α-SiC或β-SiC,在不施加压力的条件下进行烧结,烧结密度可达理论密度的95%。一般要加入B和C作为烧结助剂,也有加入稀土类元素作烧结助剂的。烧结在惰性气体保护条件下或在真空气氛中于1 900~2 200℃进行。在烧结过程中,会发生SiC的多晶转化和晶粒长大,所以要控制好温度,选择好烧结助剂。通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC耐磨材料,成本比较低,且比较容易实现工业化,因此,无压烧结被认为是SiC耐磨材料最有前途的烧结方法。 无压烧结机制有固相烧结和液相烧结。在已有的SiC陶瓷的无压烧结制备方法中,在B-C系列、Al系列等烧结助剂作用下,SiC的烧结属于固相烧结,是通过降低界面能,提高SiC颗粒的表面能,活化SiC颗粒来促进烧结。如在同时添加B和C的SiC体系中,B固溶到SiC内,使晶界能降低,C把SiC粒子表面的SiO2还原除去,提高了SiC颗粒的表面能,为SiC致密化创造了有利条件。1974年,Prochazka首次在无压烧结工艺中加入少量的B、C添加剂进行SiC的烧结。在其工作基础上,其他学者又进一步完善了该工艺,使之适合于工业化生产,如:1999年,Zhou等分别用Al4C3-B4C-C和AlB2-C作为烧结助剂,在1 900℃下获得了性能较好的烧结体;2002年,谭寿洪采用Al-B4C-C作为烧结助剂,在1 850℃下就使碳化硅实现了烧结。这些研究对SiC耐磨材料工业化过程的降低能耗具有积极意义。陈巍等系统研究了不同温度的无压烧结条件下,添加质量分数为2%的C及不同量的B对SiC材料的致密机制、微观结构及力学性能的影响,表明添加质量分数为2.0%C和1.0%B的SiC材料,在2 150℃下无压烧结2h后的力学性能最优,可获得较高耐磨性的SiC材料。Cao等添加A 1-B-C作为SiC材料的烧结助剂,在1 900℃下无压烧结4h,得到了密度为3.18g·cm-3的SiC烧结致密体。 液相烧结是以一定的单元或多元低共熔氧化物为烧结助剂,在较低温度下即可实现碳化硅的致密化。其机制是α-SiC在液相烧结系统中的粗化,是溶解—沉淀机制。其粗化包括2个过程:一是界面反应,包括溶解和沉淀结晶;二是溶质在液相中的扩散。粗化过程是受2个过程中较慢的过程控制的,其通用规则为:具有小平面的晶粒是界面反应机制,而具有圆滑平面的晶粒是扩散控制机制。例如,中国科学院沈阳金属研究所激光加工实验室通过无压烧结工艺制备出了Al2O3-SiC纳米复相陶瓷,其烧结体的相对密度达到98.82%,抗弯强度和断裂韧性分别达到589MPa和6.67MPa·m1/2;Omori等通过无压烧结工艺,用稀土氧化物混合Al2O3或硼化物将SiC烧结致密;谭寿洪等以Al2O3和Y2O3为添加剂,在1 850~1 950℃烧结0.5μm的β-SiC(其颗粒表面含有少量SiO2),获得了相对密度为95%的SiC陶瓷,而且SiC的晶粒细小,平均尺寸为1.5μm。除了添加剂的种类,添加方式也会影响无压烧结SiC陶瓷制品的性能。郭兴忠等研究了烧结助剂YAG(即Y3Al5O12)引入方式对碳化硅陶瓷烧结性能及结构的影响。结果表明:机械共混法制备的SiC-YAG复合粉体在1 950℃烧结45min可以获得较好的烧结性能,材料具有较好的力学性能和显微结构;而溶胶-凝胶法制备的SiC-YAG复合粉体在1 860℃烧结1h即可获得更优的烧结性能、力学性能和更理想的显微结构。 由于液相烧结的传质方