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flash存储关键技术研究综述 0 存储层结构的差异 从20世纪80年代的概念到2007年，flash存储在一个以数据为基础的行业已经开始。标准存储系统（basicin璧存储系统）和嵌入式系统已经被引入。现在，一些计算机而不是磁盘作为外存储器，并且引入了先进的存储容量集。堆栈技术已经非常发达。堆栈技术只能阅读存储器。随着电子表格的删除和编程操作的发展，它不仅可以删除存储芯，而且还具有非易失性、稳定性、体积小、重量轻、振动、高性能、低能耗等优点。此外，由于功耗低、访问延迟、传输带宽、密度和能量消耗等因素，flash存储设备在价格、访问延迟、传输密度和功耗方面弥补了ram和内存之间的差异，并研究了动态内存系统结构中单个存储层的地位。主要包括主存储器层、ram和硬盘之间的buff存储层和连续存储层。 和内存、磁盘最显著的不同之处在于,Flash存储器的每个存储单元只有在擦除以后才能写数据.目前擦除操作所需的时间比写操作多一个数量级,并且擦除的基本单位由几十个读、写基本单位组成.此外,每个存储单元允许的擦除次数是有限的.这些特点使得对Flash存储的有效管理变得十分重要.目前,有两种管理Flash存储器的软件体系结构:通过Flash转换层为Flash存储器提供块设备接口,使已有的文件系统不需要经过修改就能运行,为此,Flash转化层实现了地址映射、垃圾回收、磨损均衡等功能;设计并实现专门的Flash文件系统,以充分发挥Flash存储器的特点. 随着Flash存储器的容量越来越大,价格越来越低,Flash存储器相对磁盘的优势越来越明显.尤其是随着绿色存储概念的提出,在个人计算机以及服务器等通用计算环境中使用基于Flash的存储系统迅速成为应用和研究的热点.EMC公司宣布在其高端产品Symmetrix中支持SSD(solid state disk).Google公司为了缓解能耗问题,将美国总部部分服务器的硬盘替换为Flash SSD.百度公司也宣布开始使用其自行研制的SSD.然而,面向通用计算环境的Flash存储系统面临一些新的问题:一方面,和许多移动设备不同,个人计算机和服务器等系统向存储子系统发出大量的随机写请求,而由于Flash存储的独特特性,目前的随机写性能有时比磁盘低几个数量级,因此提高随机写的性能成为Flash存储管理的重要任务之一;另一方面,几十年来,操作系统、文件系统、数据库管理系统等大量上层软件的设计和实现都是基于底层采用磁盘存储系统的假设,大量的数据结构和算法的设计和实现都以优化磁盘系统的性能为目标,如B+树、buffer cache管理策略等,将这些软件直接用于基于Flash的存储系统无疑将无法有效地发挥Flash存储系统的性能,因而修改或设计新的数据结构和算法以提高Flash存储系统的性能是另一个需要研究的问题. 1 flash存储设备 1.1 页的写操作 Flash存储器根据其内部架构和实现技术可以分为AND,NAND,NOR,NiNOR几种,目前占据主流市场的有NOR Flash和NAND Flash两大类.NOR Flash由Intel公司于1988年最初推出.为了提高容量/价格比,东芝公司于1989年推出NAND Flash.两种Flash技术各有优、缺点以及各自适用的场合. NOR Flash和NAND Flash都将存储单元组织为块阵列.块是擦除操作的最小单位,擦除操作将块内所有的位置为“1”.页是读、写操作的基本单位.在对页进行写操作(也叫编程操作)之前需要判断该页内所有的位是否为“1”.如果全部为“1”,则可以进行写操作;否则,需要先对整块进行擦除操作.NAND Flash的页大小通常为512 B,2 KB,4 KB,而NOR Flash能够以字节为单位进行数据访问.NAND Flash的一个块通常包括32,64或128个页.在NAND Flash中,每个页包含数据区和带外区两部分.数据区存储用户数据,带外区存储ECC(error correcting codes),地址映射信息等用于Flash存储管理的信息,对应的大小通常为512 B/32 B,2 KB/64 B,4 KB/128 B.图1给出典型NAND Flash的块和页的结构. NOR Flash以并行的方式连接存储单元,具有分离的控制线、地址线和数据线,具有较快的读速度,能够提供片上执行的功能.但写操作和擦除操作的时间较长,且容量低、价格高.因此NOR Flash多被用于手机、BIOS芯片以及嵌入式系统中进行代码存储.NAND Flash以串行的方式连接存储单元,复用端口分时传输控制、地址和数据信号,并由一个复杂的I/O控制器为主机提供接口.由于对一个存储单元的访问需要多次地址信号的传输,且每次访问512 B,2 KB或4 KB的数据,